Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM129617
035-os BibID:	(WoS)001482426900001 (Scopus)105002026770
Első szerző:	Gaál Zoltán Tamás (fizikus)
Cím:	Boron depth distribution in iron surfaces at high-dose implantation / Z. T. Gaál, Z. Halász, A. Csík, V. Takáts, G. Nagy, J. Oscarsson, M. Sortica, D. Primetzhofer, T. Fodor, S. Molnár, J. Hakl, Zs. Benkó, L. Daróczi, M. Benke, K. Vad, I. Rajta
Dátum:	2025
ISSN:	0042-207X
Megjegyzések:	Due to application of lead-free materials in soldering technology, the degradation of industrial tools is accelerated. However, this can be circumvented with boriding. Two types of boride phases are usually formed (FeB and Fe2B), causing internal stress due to the different crystal structures. Our aim with B+ ion implantations is to avoid this weakness and create a single-phase iron boride layer. The ion implantation was performed at different doses (6.9.1017-1.1018 ions/cm2) of boron ions and with bombarding energies of 25 keV and 100 keV. The depth distribution of implanted boron was investigated by Secondary Neutral Mass Spectrometry (SNMS) depth profile analyses, Scanning Electron Microscopy (SEM) measurements, and by Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA). The purpose of these measurements was to obtain information about the boron distribution produced by high-dose implantation. Our experimental analyses show that the boron distribution is more of a Pearson IV type than a Gaussian type.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk nagy dózis implantálás
Megjelenés:	Vacuum. - 238 (2025), p. 1-6. -
További szerzők:	Halász Zoltán (1975-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Nagy Gyula (1986-) (környezetkutató fizikus) Oscarsson, Johan Sortica, Mauricio Primetzhofer, Daniel Fodor Tamás (1984-) (Ph.D hallgató) Molnár Sándor (1990-) (fizikus) Hakl József Benkó Zsolt (1980-) (geológus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Benke Márton Vad Kálmán Rajta István (1970-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	RADIATE project Grant Agreement No. 824096 Egyéb TKP2021-NKTA-42 Egyéb
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM086135
Első szerző:	Molnár Sándor (fizikus)
Cím:	Kinetics of photo-darkening and -bleaching in amorphous As20Se80 layers : temperature dependence / S. Molnar, R. Bohdan, V. Takats, Yu. Kaganovskii, K. Vad, S. Kokenyesi
Dátum:	2018
ISSN:	1454-4164 1841-7132
Megjegyzések:	Photo-darkening (PD) and surface relief (SR) recording is applicable for fabrication of photonic elements in amorphous chalcogenides. While SR in As20Se80 layers was found very efficient, the influence of PD on recording and thermal stability need to be established. Thermally activated transient and reversible components of PD were detected. From temperature dependent characteristic times of recording and erasing for both PD components rather low activation energies (17 and 13 meV) for the recording process and high activation energies (210 and 90 meV) for erasing were determined. The mechanisms of relevant processes and stability of optical relief recording are discussed.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk
Megjelenés:	Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 20 : 11-12 (2018), p. 646-650. -
További szerzők:	Bohdan, Roland Takáts Viktor Kaganovskii, Yuri S. Vad Kálmán Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	GINOP-2.3.2-15-2016-00041 GINOP
Internet cím:	Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM086129
035-os BibID:	(Scopus)85055276482 (WoS)000453917000006
Első szerző:	Molnár Sándor (fizikus)
Cím:	Stimulated Surface Relief Erasing in Amorphous As-Se Layers : Thermal- and Light Induced Effects / Sandor Molnar, Roland Bohdan, Viktor Takats, Yuri Kaganovskii, Sandor Kokenyesi
Dátum:	2018
ISSN:	1862-6300 1862-6319
Megjegyzések:	Here the kinetics of erasing surface relief gratings (SRGs) in amorphous As20Se80 thin films are studied under various temperatures (in the range 298-408 K) and continuous?wave illumination by band gap light of various intensities (0-2.5 W cm?2) and polarizations. The SRGs with 3.5 and 15 microm periods and 300 nm amplitudes are recorded by two beam interference. By the measurements of erasing kinetics on the grating of two the different periods, the authors are able to separate contributions of viscous flow and photo?induced (PI) diffusion flow, which the authors consider as independent mechanisms of mass transfer. The authors detect that band gap light illumination does not change the viscosity of chalcogenide films. In contrast to previous results, the authors suggest that mass transport is accelerated by light due to contribution of PI diffusion flow, not by decrease of ?pure" viscous flow. Contribution of PI diffusion flow, as well as anisotropy of mass transport under illumination by polarized light, drops with increasing temperature, whereas contribution of viscous flow grows with temperature. By separation of contributions of PI diffusion and viscous flow in mass transfer, the authors can determine PI diffusion coefficients and their temperature dependences.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk
Megjelenés:	Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. - 215 : 24 (2018), p. 1-7. -
További szerzők:	Bohdan, Roland Takáts Viktor Kaganovskii, Yuri S. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	GINOP-2.3.2-15-2016-00041 GINOP
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM086128
035-os BibID:	(WoS)000439045500097 (Scopus)85048817982
Első szerző:	Molnár Sándor (fizikus)
Cím:	Viscosity of As20Se80 amorphous chalcogenide films / S. Molnar, R. Bohdan, V. Takats, Yu. Kaganovskii, S. Kokenyesi
Dátum:	2018
ISSN:	0167-577X
Megjegyzések:	The knowledge of viscosity, which determines the flow of material under applied stresses, is important for many processes of the material production. Data on viscosity of thin amorphous films are necessary for development of molding technology, which allows fast fabrication of various components for integrated optics. Chalcogenide films attract great attention due to their non-linear optical properties and possibility of viscosity variation by light illumination. Despite of importance of data on the film viscosity, no methods of their direct measurements were reported. We propose such method and apply it for measurements of viscosity of As20Se80 chalcogenide films in a temperature range 378-403 K. We have obtained that coefficients of viscosity vary in the range 3x10^7-10^10 Pa.s, with the activation energy 2.9eV. The thin film viscosity coefficients are 2-5 times smaller compared to those for massive glasses.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk
Megjelenés:	Materials Letters. - 228 (2018), p. 384-386. -
További szerzők:	Bohdan, Roland Takáts Viktor Kaganovskii, Yuri S. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	GINOP-2.3.2-15-2016-00041 GINOP
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon: