Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM018217
Első szerző:	Frigeri, Cesare
Cím:	Relationship between structural changes, hydrogen content and annealing in stacks of ultrathin Si/Ge amorphous layers / Cesare Frigeri, Miklós Serényi, Nguyen Q. Khánh, Attila Csik, Ferenc Riesz, Zoltán Erdélyi, Lucia Nasi, Dezső L. Beke, Hans-Gerd Boyen
Dátum:	2011
ISSN:	1556-276X
Megjegyzések:	Hydrogenated multilayers (MLs) of a-Si/a-Ge have been analysed to establish the reasons of H release during annealing that has been seen to bring about structural modifications even up to well-detectable surface degradation. Analyses carried out on single layers of a-Si and a-Ge show that H is released from its bond to the host lattice atom and that it escapes from the layer much more efficiently in a-Ge than in a-Si because of the smaller binding energy of the H-Ge bond and probably of a greater weakness of the Ge lattice. This should support the previous hypothesis that the structural degradation of a-Si/a-Ge MLs primary starts with the formation of H bubbles in the Ge layers.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban Fizikai-, Számítás- és Anyagtudomány
Megjelenés:	Nanoscale Research Letters. - 6 : 189 (2011), p. 1-6. -
További szerzők:	Serényi Miklós Khánh, Nguyen Quoc Csik Attila (1975-) (fizikus) Riesz Ferenc Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Nasi, Lucia Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Boyen, Hans-Gerd
Pályázati támogatás:	OTKA CK-80126 TÁMOP-4.2.1/B-09/1/KONV-2010-0007 TÁMOP Diffúzió és szilárdtest reakciók nanoskálán
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon: