Magyar
Toggle navigation
Tudóstér
Magyar
Tudóstér
Keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Böngészés
Saját polc tartalma
(
0
)
Korábbi keresések
Összesen 1 találat.
#/oldal:
12
36
60
120
Rövid
Hosszú
MARC
Részletezés:
Rendezés:
Szerző növekvő
Szerző csökkenő
Cím növekvő
Cím csökkenő
Dátum növekvő
Dátum csökkenő
1.
001-es BibID:
BIBFORM058840
Első szerző:
Lovics Riku (fizikus)
Cím:
Structural modification of boron-doped ZnO layers caused by hydrogen outgassing / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad
Dátum:
2014
Megjegyzések:
Boron-doped zinc oxide layers were prepared by Low Pressure Chemical Vapour Deposition method on polished Si, soda-lime glass for windows, and AF 45 Schott alkali free thin glass substrates. A short annealing of samples at 150oC or 300oC in air causes serious surface degradation of samples. The characteristic feature of degradation is the creation of bubbles and craters on the sample surface, which fully destroys the continuity of zinc oxide layers. The results of depth distribution mapping of elements indicate that the formation of bubbles is linked to increase in hydrogen concentration in the layer. The surface degradation was not noticed on samples deposited on AF 45 Schott alkali free thin glass which has a SiO2 diffusion barrier layer on the surface, only much fewer and smaller bubbles were visible. The results indicate the important role of hydrogen outgassing from the substrate.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
poszter
Megjelenés:
International Conference on Smart Functional Materials for Shaping our Future. Debrecen, Hungary, 19-20 Sept., 2014 : abstract book. - (2014), p. 134.
További szerzők:
Csik Attila (1975-) (fizikus)
Takáts Viktor
Hakl József
Vad Kálmán
Internet cím:
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
Rekordok letöltése
1
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27
© 2023
Monguz kft.
Minden jog fenntartva.