Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM118155
035-os BibID:	(Scopus)85182510741 (cikkazonosító)159370
Első szerző:	Chou, Ta-Shun
Cím:	In-situ spectral reflectance investigation of hetero-epitaxially grown β-Ga2O3 thin films on c-plane Al2O3 via MOVPE process / Ta-Shun Chou, Saud Bin Anooz, Raimund Grüneberg, Jana Rehm, Arub Akhtar, Deshabrato Mukherjee, Peter Petrik, Andreas Popp
Dátum:	2024
ISSN:	0169-4332
Megjegyzések:	Metalorganic vapor-phase epitaxy of -Ga2O3/c-plane Al2O3 heterostructures was monitored in-situ by spectral reflectance in different wavelengths. The reflectance spectrum was analysed as a function of the growth time and the incident wavelength to estimate the growth rate and the refractive index at the growth temperatures. The obtained values are validated by ex-situ methods such as secondary ion mass spectrum measurement and spectroscopic ellipsometry. A theoretical simulation of the reflectance spectrum was carried out by combining a transfer matrix method with a multilayer model, and a good agreement with the experimental results is presented.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk A1.Surfaces A3.Metalorganic vapor phase epitaxy B1.Gallium compounds
Megjelenés:	Applied Surface Science. - 652 (2024), p. 1-7. -
További szerzők:	Bin Anooz, Saud Grüneberg, Raimund Rehm, Jana Akhtar, Arub Mukherjee, Deshabrato Petrik Péter Popp, Andreas
Pályázati támogatás:	OTKA 131515 OTKA
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon: