Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM085096
Első szerző:	Franssen, G.
Cím:	Fully-screened polarization-induced electric fields in blueviolet InGaNGaN light-emitting devices grown on bulk GaN. / G. Franssen; T Suski; P. Perlin; R. Bohdan; A. Bercha; W. Trzeciakowski; I. Makarowa; P. Prystawko; M. Leszczy℗nski; I. Grzegory; S. Porowski; S. Kökényesi
Dátum:	2005
ISSN:	0003-6951 1077-3118
Megjegyzések:	Photocurrent spectroscopy and hydrostatic-pressure-dependent electroluminescence are used to show that heavy 1?1019cm?3 Si doping of quantum barriers is sufficient to achieve full screening of polarization-induced electric fields (PIEFs) in nitride light emitting diodes (LEDs) and laser diodes (LDs) with InGaN quantum wells. Furthermore, it is shown that at currents close to lasing threshold in nitride LDs injected charge alone is sufficient to achieve full screening of PIEFs. In contrast, full screening at low currents can only be accomplished via Si doping of quantum barriers.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk
Megjelenés:	Applied Physics Letters. - 87 (2005), p. 041109-041111. -
További szerzők:	Suski, T. Perlin, P. Bohdan, Roland Bercha, A. Trzeciakowski, W. A. Makarowa, I. Prystawko, P. Leszczynski, M. Grzegory, I. Porowski, S. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon: