Magyar
Toggle navigation
Tudóstér
Magyar
Tudóstér
Keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Böngészés
Saját polc tartalma
(
0
)
Korábbi keresések
Összesen 1 találat.
#/oldal:
12
36
60
120
Rövid
Hosszú
MARC
Részletezés:
Rendezés:
Szerző növekvő
Szerző csökkenő
Cím növekvő
Cím csökkenő
Dátum növekvő
Dátum csökkenő
1.
001-es BibID:
BIBFORM085381
035-os BibID:
(cikkazonosító)044314
Első szerző:
Adarsh, K. V.
Cím:
Enhancement of photoluminescence intensity by photoinduced interdiffusion in nanolayered a-Se-As2S3 films / K. V. Adarsh, K. S. Sangunni, S. Kokenyesi, I. Ivan, M. Shipljak
Dátum:
2005
ISSN:
0021-8979
Megjegyzések:
Optical parameters of chalcogenide glass multilayers with 12-15 nm modulation lengths prepared by thermal evaporation can be changed by laser irradiation. Photoluminescence (PL) studies were carried out on such nonirradiated and irradiated multilayered samples of a-Se/As2S3 (sublayer thickness of a-Se is 4?5 nm for one set of samples and 1-2 nm for the other set. However As2S3 sublayer thickness is 11?12 nm for both sets of samples.) PL intensity can be increased by several orders of magnitude by reducing the Se well layer (lower band gap) thickness and can be further increased by irradiating the samples with appropriate wavelengths in the range of the absorption edge. The broadening of luminescence bands takes place either with a decrease in Se layer thickness or with irradiation. The former is due to the change in interface roughness and defects because of the enhanced structural disorder while the latter is due to photoinduced interdiffusion. The photoinduced interdiffusion creates defects at the interface between Se and As2S3 by forming an As?Se?S solid solution. From the deconvoluted PL spectrum, it is shown that the peak PL intensity, full width half maximum, and the PL quantum efficiency of particular defects giving rise to PL, can be tuned by changing the sublayer thickness or by interdiffusion.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:
Journal of Applied Physics. - 97 : 4 (2005), p. 1-5. -
További szerzők:
Sangunni, Kanatinkal S.
Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Iván István
Shiplyak, M.
Pályázati támogatás:
T046758
OTKA
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
Rekordok letöltése
1
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27
© 2023
Monguz kft.
Minden jog fenntartva.