Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM094388
Első szerző:	Iván István
Cím:	Charge state dependent darkening in AsSe thin films induced by slow multiply charged Ne ions / I. Iván, S. Biri, J. Pálinkás, S. Kökényesi
Dátum:	2009
ISSN:	1454-4164 1841-7132
Megjegyzések:	A charge state dependent effect of ion bombardment on the optical absorbance of AsSe thin films irradiated with 120 keV Neq+ (q = 4...8) ions have been observed and traced back to the charge state dependence of the modified layer thickness and projected range of the ions. The projected range decreases by about 20 % with increase of the ion's initial charge state from 4 to 8. The elongation of charge equilibration for highly charged ions in a solid matter is discussed as a possible reason.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk AsSe Thin films Ne ions
Megjelenés:	Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 11 : 12 (2009), p. 2008-2010. -
További szerzők:	Biri Sándor Pálinkás József (1952-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	T046454 OTKA T042729 OTKA K67685 OTKA
Internet cím:	Szerző által megadott URL Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon: