CCL

Összesen 5 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM095752
Első szerző:Adarsh, K. V.
Cím:Photoinduced interdiffusion in nanolayered Se/As2S3 films : optical and x-ray photoelectron spectroscopic studies / K. V. Adarsh, K. S. Sangunni, T. Shripathi, S. Kokenyesi, M. Shipljak
Dátum:2006
ISSN:0021-8979
Megjegyzések:Photoinduced interdiffusion was observed with above band gap light in nanolayered Se/As2S3 films. It is discussed in terms of the optical parameters such as band gap, Urbach edge Ee [F. Urbach, Phys. Rev. 92, 1324 (1953)], and B1/2 (Tauc's parameter) [J. Tauc et al., Phys. Status Solidi 15, 627 (1966)]. Experimental data of B1/2 and Ee for as-prepared samples do not show clear correlation implied by the Mott-Davis model [N. F. Mott and E. A. Davis, Electronic Process in Non-crystalline Materials (Clarendon, Oxford 1979, p. 287)]. It is also shown that the optical parameters can be changed with a change in the Se sublayer thickness. Variations of these optical parameters as a function of modulation period and photoinduced interdiffusion were discussed in terms of the quantum confinement effect and changes in the valence and conduction bands. We proposed a model to explain the mechanism of Se diffusion in As2S3, which suggests that diffusion takes place through the wrong bonds. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is used to investigate the chemical alternations in the bonding. The proposed model was supported by the XPS data.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Journal of Applied Physics. - 99 : 9 (2006), p. 094301-1 - 094301-6. -
További szerzők:Sangunni, Kanatinkal S. Shripathi, T. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Shiplyak, M.
Pályázati támogatás:T046758
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM085381
035-os BibID:(cikkazonosító)044314
Első szerző:Adarsh, K. V.
Cím:Enhancement of photoluminescence intensity by photoinduced interdiffusion in nanolayered a-Se-As2S3 films / K. V. Adarsh, K. S. Sangunni, S. Kokenyesi, I. Ivan, M. Shipljak
Dátum:2005
ISSN:0021-8979
Megjegyzések:Optical parameters of chalcogenide glass multilayers with 12-15 nm modulation lengths prepared by thermal evaporation can be changed by laser irradiation. Photoluminescence (PL) studies were carried out on such nonirradiated and irradiated multilayered samples of a-Se/As2S3 (sublayer thickness of a-Se is 4?5 nm for one set of samples and 1-2 nm for the other set. However As2S3 sublayer thickness is 11?12 nm for both sets of samples.) PL intensity can be increased by several orders of magnitude by reducing the Se well layer (lower band gap) thickness and can be further increased by irradiating the samples with appropriate wavelengths in the range of the absorption edge. The broadening of luminescence bands takes place either with a decrease in Se layer thickness or with irradiation. The former is due to the change in interface roughness and defects because of the enhanced structural disorder while the latter is due to photoinduced interdiffusion. The photoinduced interdiffusion creates defects at the interface between Se and As2S3 by forming an As?Se?S solid solution. From the deconvoluted PL spectrum, it is shown that the peak PL intensity, full width half maximum, and the PL quantum efficiency of particular defects giving rise to PL, can be tuned by changing the sublayer thickness or by interdiffusion.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Journal of Applied Physics. - 97 : 4 (2005), p. 1-5. -
További szerzők:Sangunni, Kanatinkal S. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Iván István Shiplyak, M.
Pályázati támogatás:T046758
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM002659
Első szerző:Adarsh, K. V.
Cím:Observation of three-photon absorption and saturation of two-photon absorption in amorphous nanolayered Se/As2S3 thin film structures / K. V. Adarsh, K. S. Sangunni, C. S. Suchand Sandeep, Reji Philip, S. Kokenyesi, V. Takats
Dátum:2007
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Journal of applied physics 102 (2007), 026102. -
További szerzők:Sangunni, Kanatinkal S. Suchand Sandeep, C. S. Philip, Reji Takáts Viktor Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Internet cím:elektronikus változat
DOI
Borító:

4.

001-es BibID:BIBFORM052845
Első szerző:Kaganovskii, Yuri S.
Cím:Electron-beam induced variation of surface profile in amorphous As20Se80 films / Yu. Kaganovskii, M. L. Trunov, C. Cserhati, P. M. Lytvyn, D. L. Beke, S. Kökényesi
Dátum:2014
ISSN:0021-8979
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Journal Of Applied Physics. - 115 : 18 (2014), p. 183512-1. -
További szerzők:Trunov, M. L. Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Lytvyn, P. M. Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TÁMOP-4.2.2.A-11/1/KONV-2012-0036
TÁMOP
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

5.

001-es BibID:BIBFORM022602
Első szerző:Kaganovskii, Yuri S.
Cím:Inversion of the direction of photo-induced mass transport in As20Se80 films : Experiment and theory / Yu. Kaganovskii, D. L. Beke, S. Charnovych, S. Kökényesi, M. L. Trunov
Dátum:2011
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Fizikai-, Számítás- és Anyagtudomány
photoinduced mass transport
optical recording
Megjelenés:Journal of Applied Physics. - 110 : 6 (2011), p. 063502-1-063502-5. -
További szerzők:Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Csarnovics István (1986-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Trunov, M. L.
Pályázati támogatás:TÁMOP-4.2.1/B-09/1/KONV-2010-0007
TÁMOP
Diffúzió és szilárdtest reakciók nanoskálán
TÁMOP-4.2.1/B-09/1/KONV-2010-0007
TÁMOP
Funkcionális fotonikai anyagok kutatása
OTKA CK-80126
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
DOI
Borító:
Rekordok letöltése1