Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM063729
Első szerző:	Csarnovics István (fizikus)
Cím:	Dual Effects of Photo-Darkening and Photo-Bleaching in Ge-Se Films / István Csarnovics, Muhamma Rizwa Latif, Tyler Nichol, Wan Kuang , Maria Mitkova, Miklós Veres, Sándor Kökényesi
Dátum:	2015
ISSN:	2161-6213
Megjegyzések:	Photo-induced changes are investigated in thermally evaporated GexSe1-x (x = 0.28, 0.33 and 0.40) films. Object of studiesare fresh (as prepared), as well as annealed films. The studies indicated concentration dependence of the occurring effects for thestudied compositions. Fast photo-darkening and slow photo-bleaching processes due to laser irradiation were detected in as-preparedfilms, while only photo-darkening effect was established for annealed samples. The origin of photo-darkening and photo-bleaching isexplained based on the structural investigations carried out by Raman spectroscopy.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban chalcogenides photo-induced changes, photo-bleaching photo-darkening micro-Raman spectroscopy
Megjelenés:	Journal of Materials Science and Engineering A. - 5 : 2 (2015), p. 78-86. -
További szerzők:	Latif, Muhamma Rizwa Nichol, Tyler Kuang, Wan Mitkova, Maria Veres Miklós Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	TÁMOP 4.2.4. A/2-11-1-2012-0001 TÁMOP TÁMOP-4.2.2.A-11/1/KONV-2012-0036 TÁMOP
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM116604
035-os BibID:	(cikkazonosító)4204 (Scopus)85163726226 (WOS)001017391300001
Első szerző:	Ismaeel, Noor Taha
Cím:	Investigation of electrochromic, combinatorial tio2-sno2 mixed layers by spectroscopic ellipsometry using different optical models / Noor Taha Ismaeel, Zoltán Lábadi, Peter Petrik, Miklós Fried
Dátum:	2023
ISSN:	1996-1944
Megjegyzések:	We determined the optimal composition of reactive magnetron-sputtered mixed layers of Titanium oxide and Tin oxide (TiO2-SnO2) for electrochromic purposes. We determined and mapped the composition and optical parameters using Spectroscopic Ellipsometry (SE). Ti and Sn targets were put separately from each other, and the Si-wafers on a glass substrate (30 cm x 30 cm) were moved under the two separated targets (Ti and Sn) in a reactive Argon-Oxygen (Ar-O-2) gas mixture. Different optical models, such as the Bruggeman Effective Medium Approximation (BEMA) or the 2-Tauc-Lorentz multiple oscillator model (2T-L), were used to obtain the thickness and composition maps of the sample. Scanning Electron Microscopy (SEM) with Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS) has been used to check the SE results. The performance of diverse optical models has been compared. We show that in the case of molecular-level mixed layers, 2T-L is better than EMA. The electrochromic effectiveness (the change of light absorption for the same electric charge) of mixed metal oxides (TiO2-SnO2) that are deposited by reactive sputtering has been mapped too.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk electrochromic materials reactive sputtering spectroscopic ellipsometry Titanium-Tin oxide
Megjelenés:	Materials. - 16 : 12 (2023), p. 1-12. -
További szerzők:	Lábadi Zoltán Petrik Péter Fried Miklós
Pályázati támogatás:	NN 131269 OTKA K 128319 OTKA K 131515 OTKA KP2021-EGA-04 Egyéb
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM086498
035-os BibID:	(cikkazonosító)016204
Első szerző:	Kaganovskii, Yuri S.
Cím:	Photo induced self-diffusion and viscosity in amorphous chalcogenide films / Yu Kaganovskii, D. L. Beke, V. Freilikher, S. Kökényesi, A. M. Korsunsky
Dátum:	2020
ISSN:	2053-1591
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk amorphous chalcogenide films diffusion mass transfer viscosity
Megjelenés:	Materials Research Express. - 7 : 1 (2020), p. 1-7. -
További szerzők:	Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Freilikher, V. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Korsunsky, A. M.
Pályázati támogatás:	GINOP-2.3.2-15-2016-00041 GINOP
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM119917
035-os BibID:	(cikkazonosító)107062 (Scopus)85137065154 (WoS) 000860756600004
Első szerző:	Lohner Tivadar
Cím:	Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry / Tivadar Lohner, Attila Németh, Zsolt Zolnai, Benjamin Kalas, Alekszej Romanenko, Nguyen Quo Khánh, Edit Szilágyi, Endre Kótai, Emil Agócs, Zsolt Tóth, Judit Budai, Péter Petrik, Miklós Fried, István Bársony, József Gyulai
Dátum:	2022
ISSN:	1369-8001
Megjegyzések:	Ion implantation has been a key technology for the controlled surface modification of materials in microelectronics and generally, for tribology, biocompatibility, corrosion resistance and many more. To form shallow junctions in Ge is a challenging task. In this work the formation and accumulation of shallow damage profiles was studied by in-situ spectroscopic ellipsometry (SE) for the accurate tracking and evaluation of void and damage fractions in crystalline Ge during implantation of 200-keV Sb + ions with a total fluence up to 1016 cm?2 and an ion flux of 2.1 ? 1012 cm?2s?1. The consecutive stages of damage accumulation were identified using optical multi-layer models with quantitative parameters of the thickness of modified layers as well as the volume fractions of amorphized material and voids. The effective size of damaged zones formed from ion tracks initiated by individual bombarding ions can be estimated by numerical simulation compared with the dynamics of damage profiles measured by ion beam analysis and ellipsometry. According to our observations, the formation of initial partial disorder was followed by complete amorphization and void formation occurring at the fluence of about 1 ? 1015 cm?2, leading to a high volume fraction of voids and a modified layer thickness of ?200 nm by the end of the irradiation process. This agrees with the results of numerical simulations and complementary scanning electron microscopy (SEM) measurements. In addition, we found a quasi-periodic time dependent behavior of amorphization and void formation represented by alternating accelerations and decelerations of different reorganization processes, respectively. For the understanding and prevention of adverse void formation and for controlled evolution of subsurface nanocavities or cellular surface texture the in-situ monitoring of the dynamics of structural damage accumulation by the developed SE method is essential.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk Amorphization Biocompatibility Corrosion resistance Ion bombardment Ions Microelectronics Scanning electron microscopy Textures Void fraction Volume fraction Crystalline Ge Damage profiles Damages accumulation Fluences Ions implantation Key technologies Modified layer Single-crystalline Voids formation
Megjelenés:	Materials Science In Semiconductor Processing. - 152 (2022), p. 1-11. -
További szerzők:	Németh Attila Zolnai Zsolt Kalas Benjámin Romanenko, Alekszej Khánh, Nguyen Quoc Szilágyi Edit Kótai Endre Agócs Emil Tóth Zsolt Budai Judit Petrik Péter Fried Miklós Bársony István (1948-) (villamosmérnök) Gyulai József
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon: