Magyar
Toggle navigation
Tudóstér
Magyar
Tudóstér
Keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Böngészés
Saját polc tartalma
(
0
)
Korábbi keresések
CCL parancs
CCL
Összesen 22 találat.
#/oldal:
12
36
60
120
Rövid
Hosszú
MARC
Részletezés:
Rendezés:
Szerző növekvő
Szerző csökkenő
Cím növekvő
Cím csökkenő
Dátum növekvő
Dátum csökkenő
1.
001-es BibID:
BIBFORM095752
Első szerző:
Adarsh, K. V.
Cím:
Photoinduced interdiffusion in nanolayered Se/As2S3 films : optical and x-ray photoelectron spectroscopic studies / K. V. Adarsh, K. S. Sangunni, T. Shripathi, S. Kokenyesi, M. Shipljak
Dátum:
2006
ISSN:
0021-8979
Megjegyzések:
Photoinduced interdiffusion was observed with above band gap light in nanolayered Se/As2S3 films. It is discussed in terms of the optical parameters such as band gap, Urbach edge Ee [F. Urbach, Phys. Rev. 92, 1324 (1953)], and B1/2 (Tauc's parameter) [J. Tauc et al., Phys. Status Solidi 15, 627 (1966)]. Experimental data of B1/2 and Ee for as-prepared samples do not show clear correlation implied by the Mott-Davis model [N. F. Mott and E. A. Davis, Electronic Process in Non-crystalline Materials (Clarendon, Oxford 1979, p. 287)]. It is also shown that the optical parameters can be changed with a change in the Se sublayer thickness. Variations of these optical parameters as a function of modulation period and photoinduced interdiffusion were discussed in terms of the quantum confinement effect and changes in the valence and conduction bands. We proposed a model to explain the mechanism of Se diffusion in As2S3, which suggests that diffusion takes place through the wrong bonds. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is used to investigate the chemical alternations in the bonding. The proposed model was supported by the XPS data.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:
Journal of Applied Physics. - 99 : 9 (2006), p. 094301-1 - 094301-6. -
További szerzők:
Sangunni, Kanatinkal S.
Shripathi, T.
Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Shiplyak, M.
Pályázati támogatás:
T046758
OTKA
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
2.
001-es BibID:
BIBFORM085381
035-os BibID:
(cikkazonosító)044314
Első szerző:
Adarsh, K. V.
Cím:
Enhancement of photoluminescence intensity by photoinduced interdiffusion in nanolayered a-Se-As2S3 films / K. V. Adarsh, K. S. Sangunni, S. Kokenyesi, I. Ivan, M. Shipljak
Dátum:
2005
ISSN:
0021-8979
Megjegyzések:
Optical parameters of chalcogenide glass multilayers with 12-15 nm modulation lengths prepared by thermal evaporation can be changed by laser irradiation. Photoluminescence (PL) studies were carried out on such nonirradiated and irradiated multilayered samples of a-Se/As2S3 (sublayer thickness of a-Se is 4?5 nm for one set of samples and 1-2 nm for the other set. However As2S3 sublayer thickness is 11?12 nm for both sets of samples.) PL intensity can be increased by several orders of magnitude by reducing the Se well layer (lower band gap) thickness and can be further increased by irradiating the samples with appropriate wavelengths in the range of the absorption edge. The broadening of luminescence bands takes place either with a decrease in Se layer thickness or with irradiation. The former is due to the change in interface roughness and defects because of the enhanced structural disorder while the latter is due to photoinduced interdiffusion. The photoinduced interdiffusion creates defects at the interface between Se and As2S3 by forming an As?Se?S solid solution. From the deconvoluted PL spectrum, it is shown that the peak PL intensity, full width half maximum, and the PL quantum efficiency of particular defects giving rise to PL, can be tuned by changing the sublayer thickness or by interdiffusion.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:
Journal of Applied Physics. - 97 : 4 (2005), p. 1-5. -
További szerzők:
Sangunni, Kanatinkal S.
Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Iván István
Shiplyak, M.
Pályázati támogatás:
T046758
OTKA
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
3.
001-es BibID:
BIBFORM004615
Első szerző:
Adarsh, K. V.
Cím:
Kinetics and chemical analysis of photoinduced interdiffusion in nanolayerered Se/As2S3 films / K. V. Adarsh, Ramakanta Naik, K. S. Sangunni, S. Kokenyesi , H. Jain, Alfred C. Miller
Dátum:
2008
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
nanomaterials
Megjelenés:
Journal of Applied Physics 104 (2008), 053501 (7 p.). -
További szerzők:
Naik, Ramakanta
Sangunni, Kanatinkal S.
Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Jain, H.
Miller, Alfred C.
Internet cím:
elektronikus változat
DOI
Borító:
Saját polcon:
4.
001-es BibID:
BIBFORM002659
Első szerző:
Adarsh, K. V.
Cím:
Observation of three-photon absorption and saturation of two-photon absorption in amorphous nanolayered Se/As2S3 thin film structures / K. V. Adarsh, K. S. Sangunni, C. S. Suchand Sandeep, Reji Philip, S. Kokenyesi, V. Takats
Dátum:
2007
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:
Journal of applied physics 102 (2007), 026102. -
További szerzők:
Sangunni, Kanatinkal S.
Suchand Sandeep, C. S.
Philip, Reji
Takáts Viktor
Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Internet cím:
elektronikus változat
DOI
Borító:
Saját polcon:
5.
001-es BibID:
BIBFORM008655
Első szerző:
Beke Dezső László (fizikus)
Cím:
Segregation inhibited grain coarserning in nanocrystalline alloys / Beke, D. L., Cserhati, C., Szabo, I. A.
Dátum:
2004
ISSN:
0021-8979
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:
Journal of Applied Physics. - 95 : 9 (2004), p. 4996-5001. -
További szerzők:
Cserháti Csaba (1963-) (fizikus)
Szabó István András (1956-) (fizikus)
Internet cím:
DOI
Borító:
Saját polcon:
6.
001-es BibID:
BIBFORM008557
Első szerző:
Cserháti Csaba (fizikus)
Cím:
Size effects in surface segregation / Cs. Cserháti, I. A. Szabó, D. L. Beke
Dátum:
1998
ISSN:
0021-8979
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:
Journal of Applied Physics. - 83 : 6 (1998), p. 3021-3027. -
További szerzők:
Szabó István András (1956-) (fizikus)
Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Borító:
Saját polcon:
7.
001-es BibID:
BIBFORM008706
Első szerző:
Cserháti Csaba (fizikus)
Cím:
Linear growth kinetics of Nanometric silicides in Co/amorphous-Si and Co/CoSi/amorphous-Si thin films / Cserháti, C., Balogh, Z., Csik, A., Langer, G. A., Erdélyi, Z., Glodan, Gy., Katona, G. L., Beke, D. L., Zizak, I., Darowska, N., Dudzik, E., Feyerherm, R.
Dátum:
2008
ISSN:
0021-8979
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:
Journal of Applied Physics 104 : 2 (2008), p. 024311-1-6. -
További szerzők:
Balogh Zoltán (1982-) (fizikus)
Csik Attila (1975-) (fizikus)
Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus)
Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Glodán Györgyi (1985-) (fizikus)
Katona Gábor (1977-) (fizikus)
Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Zizak, I.
Darowska, N.
Dudzik, E.
Feyerherm, R.
Internet cím:
elektronikus változat
DOI
Borító:
Saját polcon:
8.
001-es BibID:
BIBFORM039958
Első szerző:
Csik Attila (fizikus)
Cím:
Interdiffusion in amorphous Si/Ge multilayers by Auger depth profiling technique / Csik, A., Langer, G., Beke, D. L., Erdelyi, Z., Menyhard, M., Sulyok, A.
Dátum:
2001
ISSN:
0021-8979
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:
Journal Of Applied Physics. - 89 : 1 (2001), p. 804-806. -
További szerzők:
Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus)
Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Menyhárd Miklós
Sulyok Attila
Internet cím:
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
9.
001-es BibID:
BIBFORM008573
Első szerző:
Dudás Adrián
Cím:
Thermal stability of Mo-V epitaxial multilayers / A. Dudás, G. A. Langer, D. L. Beke, M. Kis-Varga, L. Daróczi, Z. Erdélyi
Dátum:
1999
ISSN:
0021-8979
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:
Journal of applied physics. - 86 : 4 (1999), p. 2008-2013. -
További szerzők:
Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus)
Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Kis-Varga Miklós
Daróczi Lajos (1965-) (fizikus)
Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Borító:
Saját polcon:
10.
001-es BibID:
BIBFORM008535
Első szerző:
Erdélyi Gábor (fizikus)
Cím:
Kinetics of evaporation of beaded Ag-film on sapphire and on alumina scale / G. Erdélyi, M. Barkóczi, E. Moya, H. Giordano, I. Beszeda, B. Aufray, D. L. Beke
Dátum:
1996
ISSN:
0021-8979
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:
Journal of Applied Physics. - 80 : 3 (1996), p. 1474-1479. -
További szerzők:
Barkóczi Miklós
Gontier-Moya, Eliette
Giordano, Helen
Beszeda Imre (1966-) (okl. anyagtudományi mérnök-fizikus)
Aufray, B.
Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Borító:
Saját polcon:
11.
001-es BibID:
BIBFORM008606
Első szerző:
Erdélyi Zoltán (fizikus)
Cím:
Determination of grain-boundary diffusion of Ag in nanocrystalline Cu by the Hwang-Balluffi method / Erdelyi, Z., Girardeaux, Ch, Langer, G., Beke, D. L., Rolland, A., Bernardini, J.
Dátum:
2001
ISSN:
0021-8979
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:
Journal of applied physics. - 89 : 7 (2001), p. 3971-3975. -
További szerzők:
Girardeaux, Christophe
Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus)
Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Rolland, Andrée
Bernardini, Jean
Borító:
Saját polcon:
12.
001-es BibID:
BIBFORM080963
035-os BibID:
(cikkazonosító)065106
Első szerző:
Gajdics Bence Dániel (fizikus)
Cím:
A multiscale procedure based on the stochastic kinetic mean field and the phase-field models for coarsening / Bence Gajdics, János J. Tomán, Helena Zapolsky, Zoltán Erdélyi, Gilles Demange
Dátum:
2019
ISSN:
0021-8979
Megjegyzések:
We report a quantitative multiscale (MS) procedure based on the recently developed Stochastic Kinetic Mean Field approach (SKMF) [Erdélyi, M. Pasichnyy, V. Bezpalchuk, J. J. Tomán, B. Gajdics, and A. M. Gusak, Comput. Phys. Commun. 204, 31-37 (2016)], combined with the Phase Field model (PFM) and CALPHAD database, to study the nucleation-growth-coarsening process in alloys. The SKMF approach reproduces the nucleation and early growth of precipitates in the matrix, and the PFM then simulates the coarsening of the microstructure. To ensure the consistency of the procedure, the length and time scales of SKMF and PFM are explicitly connected. Moreover, both the effective interaction energies used in the SKMF and the free energy used in the PFM are taken from CALPHAD database. Two different implementations of the procedure are proposed. First, the postnucleation microstructure as provided by SKMF is used as the initial condition for subsequent PFM simulations. Second, only the particle size distribution and particle density are transferred to PFM, thereby giving access to bigger systems. The proposed procedure is tested in the specific case of the Ag-Cu model alloy.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:
Journal Of Applied Physics. - 126 : 6 (2019), p. 1-12. -
További szerzők:
Tomán János (1987-) (fizikus)
Zapolsky, Helena
Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Demange, Gilles
Pályázati támogatás:
TÉT-16_1-2016-0100
Egyéb
TéT_16_FR/Balaton project
egyéb
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
Rekordok letöltése
1
2
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27
© 2023
Monguz kft.
Minden jog fenntartva.