CCL

Összesen 7 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM039569
Első szerző:Beke Dezső László (fizikus)
Cím:Thermal stability of amorphous and crystalline multilayers produced by magnetron sputtering / Beke, D. L., Langer, G. A., Kis-Varga, M., Dudas, A., Nemes, P., Daróczi, L., Kerekes, Gy., Erdélyi, Z.
Dátum:1998
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Vacuum. - 50 : 3-4 (1998), p. 373-383. -
További szerzők:Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Kis-Varga Miklós Dudás Adrián Nemes Péter Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Kerekes Gyula Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM038726
Első szerző:Beke Dezső László (fizikus)
Cím:Diffusion on the nanometer scale / Beke Dezső László, Erdélyi Zoltán, Langer Gábor Antal, Csik Attila, Katona Gábor
Dátum:2005
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Vacuum. - 1-3 : 80 (2005), p. 87-91. -
További szerzők:Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM038808
Első szerző:Csik Attila (fizikus)
Cím:Pattern formation in SiSb system / A. Csik, G. Erdélyi, G.A. Langer, L. Daróczi, D.L. Beke, J. Nyéki, Z. Erdélyi
Dátum:2005
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Vacuum 80 : 1-3 (2005), p. 168-173. -
További szerzők:Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Nyéki József (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

4.

001-es BibID:BIBFORM008872
Első szerző:Csik Attila (fizikus)
Cím:Investigation of thermal stability of hydrogenated amorphous Si/Ge multilayers / Csik, A., Serenyi, M., Erdelyi, Z., Nemcsics, A., Cserhati, C., Langer, G. A., Beke, D. L., Frigeri, C., Simon, A.
Dátum:2010
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Vacuum. - 84 : 1 (2010), p. 137-140. -
További szerzők:Serényi Miklós Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Nemcsics A. Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Frigeri, Cesare Simon Alíz (1975-) (fizikus)
Internet cím:elektronikus változat
Borító:

5.

001-es BibID:BIBFORM008600
Első szerző:Csik Attila (fizikus)
Cím:Non-linearity due to the strong concentration dependence of diffusion in amorphous Si-Ge multilayers / Csik, A., Beke, D.L., Langer, G.A., Erdélyi, Z., Daróczi, L., Kapta, K., Kis-Varga, M.
Dátum:2001
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Vacuum. - 61 : 2-4 (2001), p. 297-301. -
További szerzők:Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Kapta Krisztián Kis-Varga Miklós
Borító:

6.

001-es BibID:BIBFORM004317
Első szerző:Csik Attila (fizikus)
Cím:Investigation of Sb diffusion in amorphous silicon / A. Csik, G. A. Langer, G. Erdélyi, D. L. Beke, Z. Erdelyi, K. Vad
Dátum:2008
Megjegyzések:Amorphous silicon materials and its alloys became extensively used in some technical applications involving large area of the microelectronic and optoelectronic devices. However, the amorphous-crystalline transition, segregation and diffusion processes still have numerous unanswered questions. In this work we study the Sb diffusion into an amorphous Si film by means of Secondary Neutral Mass Spectrometry. Amorphous Si/Si1-xSbx/Si tri-layer samples with 5at% antimony concentration were prepared by direct current magnetron sputtering onto Si substrate at room temperature. Annealing of the samples was performed at different temperatures in vacuum (P < 10(-7) mbar) and 100 bar high purity (99.999%) Ar pressure. During annealing a rather slow mixing between the Sb-alloyed and the amorphous Si layers was observed. Supposing concentration independent of diffusion, the evaluated diffusion coefficients are in the range of similar to 10(-21) m(2)s(-1) at 550 degrees C.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Vacuum. - 82 : 2 (2008), p. 257-260. -
További szerzők:Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Vad Kálmán
Internet cím:elektronikus változat
Borító:

7.

001-es BibID:BIBFORM008873
Első szerző:Erdélyi Zoltán (fizikus)
Cím:Interface kinetics and morphology on the nanoscale / Erdelyi, Z., Beke, D. L., Langer, G. A., Csik, A., Cserhati, C., Balogh, Z.
Dátum:2010
ISSN:0042-207X
Megjegyzések:Diffusion on the nanoscale in multilayer, thin films has many challenging features even if the role of structural defects can be neglected and 'only' the effects related to the nanoscale arise. Recently, we have discovered different examples for diffusional nanoscale effects, which are summarized in this contribution. Interface shift kinetics may be different from the ones predicted by continuum approximations (anomalous kinetics). Moreover we show that in solid state reactions, reaction layers form and start to grow highly non-stoichiometrically and an initially existing stoichiometric compound layer may dissolve then re-form non-stoichiometrically. Our findings are of primary importance for nanotechnologies where early stages of solid state reaction (SSR) are utilized. We also show that an initially diffused interface may sharpen even in completely miscible systems. This phenomenon could provide a useful tool for the improvement of interfaces and offer a way to fabricate, for example, better X-ray or neutron mirrors, microelectronic devices, or, multilayers with giant magnetic resistance. A variety of different UHV-based techniques (AES/XPS and synchrotron facilities) have been used to prove the above theoretical findings in different systems (e.g. Ni/Cu, Ni/Au, Si/Ge, Co/Si).
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Vacuum. - 84 : 1 (2010), p. 26-31. -
További szerzők:Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Balogh Zoltán (1982-) (fizikus)
Internet cím:elektronikus változat
DOI
Borító:
Rekordok letöltése1 
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27 © 2023 Monguz kft. Minden jog fenntartva.