Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM042940
Első szerző:	Cserháti Csaba (fizikus)
Cím:	Anomalous growth kinetics of the Ni2Si reaction layer in a-Si/Ni system / Cserháti Csaba, Erdélyi Zoltán, Katona Gábor, Csik Attila. Lakatos Ákos, Langer Gábor, Kis-Varga Miklós, Daróczi Lajos, Erdélyi Gábor, Vad Kálmán, I. Zizak, E. Dudzik, R. Feyerherm, Beke Dezső
Dátum:	2009
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat
Megjelenés:	International Workshop "Diffusion and Solid State Reactions on Nanoscale" / ed. Csik Attila. - p. 23.
További szerzők:	Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Lakatos Ákos (1983-) (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Kis-Varga Miklós Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Vad Kálmán Zizak, I. Dudzik, E. Feyerherm, R. Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:	Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM004317
Első szerző:	Csik Attila (fizikus)
Cím:	Investigation of Sb diffusion in amorphous silicon / A. Csik, G. A. Langer, G. Erdélyi, D. L. Beke, Z. Erdelyi, K. Vad
Dátum:	2008
Megjegyzések:	Amorphous silicon materials and its alloys became extensively used in some technical applications involving large area of the microelectronic and optoelectronic devices. However, the amorphous-crystalline transition, segregation and diffusion processes still have numerous unanswered questions. In this work we study the Sb diffusion into an amorphous Si film by means of Secondary Neutral Mass Spectrometry. Amorphous Si/Si1-xSbx/Si tri-layer samples with 5at% antimony concentration were prepared by direct current magnetron sputtering onto Si substrate at room temperature. Annealing of the samples was performed at different temperatures in vacuum (P < 10(-7) mbar) and 100 bar high purity (99.999%) Ar pressure. During annealing a rather slow mixing between the Sb-alloyed and the amorphous Si layers was observed. Supposing concentration independent of diffusion, the evaluated diffusion coefficients are in the range of similar to 10(-21) m(2)s(-1) at 550 degrees C.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:	Vacuum. - 82 : 2 (2008), p. 257-260. -
További szerzők:	Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Vad Kálmán
Internet cím:	elektronikus változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM013075
Első szerző:	Lakatos Ákos (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök)
Cím:	Nanoscale investigation of shift of individual interfaces in temperature induced processes of Ni-Si by secondary neutral mass / A. Lakatos, G. A. Langer, A. Csik, C. Cserhati, M. Kis-Varga, L. Daroczi, G. L. Katona, Z. Erdélyi, G. Erdelyi, K. Vad, D. L. Beke
Dátum:	2010
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban Fizikai-, Számítás- és Anyagtudomány
Megjelenés:	Applied Physics Letters . - 97 (2010), p. 233103-1 - 233103-3. -
További szerzők:	Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Kis-Varga Miklós Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Vad Kálmán Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	TÁMOP-4.2.1/B-09/1/KONV-2010-0007 TÁMOP Diffúzió és szilárdtest reakciók nanoskálán
Internet cím:	DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon: