Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM015754
Első szerző:	Schröder, D. K. (fizikus)
Cím:	Silicon epitaxial layer recombination and generation lifetime characterization / Schroder, D. K., Choi, B. D., Kang, S. G., Ohashi, W., Kitahara, K., Opposits, G., Pavelka, T., Benton, J.
Dátum:	2003
ISSN:	0018-9383
Megjegyzések:	We have made recombination and generation lifetime measurements on silicon p-epitaxial layers on p(+) and on p-substrates. The recombination lifetimes are dominated by surface/interface recombination for layers only a few microns thick. By coupling measurements of p/p with those of p/p(+) samples, it is possible to extract the epi-layer lifetime. For p/p(+) samples, recombination lifetimes area poorly suited to characterize epi-layers. Gene-ration lifetime measurements are eminently suitable for epi-layer characterization. since carrier generation occurs in the space-charge region confined to the epitaxial layer, and when coupled with corona charge/Kelvin probe, allow contact-less measurements.
Tárgyszavak:	Műszaki tudományok Anyagtudományok és technológiák idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:	Ieee Transactions On Electron Devices 50 : 4 (2003), p. 906-912. -
További szerzők:	Choi, B. D. (fizikus) Kang, S. G. (fizikus) Ohashi, W. (fizikus) Kitahara, K. (fizikus) Opposits Gábor (1974-) (fizikus, szoftver fejlesztő) Pavelka Tibor (fizikus) Benton, Janet
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI
Borító:
Saját polcon: