CCL

Összesen 10 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM066901
Első szerző:Csarnovics István (fizikus)
Cím:Light and electron beam induced surface pattering in Ge-Se system / I. Csarnovics, C. Cserhati, S. Kokenyesi, M. R. Latif, M. Mitkova, P. Nemec, P. Hawlova, T. Nichol, M. Veres
Dátum:2016
ISSN:1454-4164 1841-7132
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
chalcogenide layers
thermal evaporation
pulsed laser deposition
photon irradiation
electron beam
surface relief
volume change
Megjelenés:Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials 18 : 9-10 (2016), p. 793-797. -
További szerzők:Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Latif, Muhamma Rizwa Mitkova, Maria Nemec, Petr Hawlova, P. Nichol, Tyler Veres M.
Pályázati támogatás:TÁMOP4.2.2.A-11/2/KONV-2012-0032
TÁMOP
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM039957
Első szerző:Csik Attila (fizikus)
Cím:Photo-stimulated structural transformations and optical recording in amorphous semiconductor multilayer / Csik, A., Malyovanik, M., Dorogovics, J., Kikneshi, A., Beke, D. L., Szabó, I. A., Langer, G.
Dátum:2001
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Journal of Optoelectronics and advanced Materials. - 3 : 1 (2001), p. 33-36. -
További szerzők:Malyovanik, M. Dorogovics J. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Szabó István András (1956-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM094388
Első szerző:Iván István
Cím:Charge state dependent darkening in AsSe thin films induced by slow multiply charged Ne ions / I. Iván, S. Biri, J. Pálinkás, S. Kökényesi
Dátum:2009
ISSN:1454-4164 1841-7132
Megjegyzések:A charge state dependent effect of ion bombardment on the optical absorbance of AsSe thin films irradiated with 120 keV Neq+ (q = 4...8) ions have been observed and traced back to the charge state dependence of the modified layer thickness and projected range of the ions. The projected range decreases by about 20 % with increase of the ion's initial charge state from 4 to 8. The elongation of charge equilibration for highly charged ions in a solid matter is discussed as a possible reason.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
AsSe
Thin films
Ne ions
Megjelenés:Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 11 : 12 (2009), p. 2008-2010. -
További szerzők:Biri Sándor Pálinkás József (1952-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:T046454
OTKA
T042729
OTKA
K67685
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

4.

001-es BibID:BIBFORM008680
Első szerző:Iván István
Cím:Light and ion induced interdiffusion in amorphous chalcogenide nanomultilayers / Ivan, I., Beke, D. L., Kokenyesi, S., Szabo, I. A., Csik, A.
Dátum:2005
ISSN:1454-4164
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials. - 7 : 4 (2005), p. 1831-1836. -
További szerzők:Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Szabó István András (1956-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus)
Borító:

5.

001-es BibID:BIBFORM095767
Első szerző:Kökényesi Sándor (fizikus)
Cím:Amorphous chalcogenide nano-multilayers : research and development / S. Kokenyesi
Dátum:2006
ISSN:1454-4164 1841-7132
Megjegyzések:Investigations of photophysical processes in amorphous chalcogenide layers were extended during the last two decades towards the nanostructures. Namely the nano-layered films were in the focus of development of new photosensitive, optical recording media. A short review of the progress made in the development of the technology, selection of the components and in the understanding of the physics of stimulated transformations is presented.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Amorphous chalcogenides
Nano-multilayers
Megjelenés:Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 8 : 6 (2006), p. 2093-2096. -
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

6.

001-es BibID:BIBFORM038937
Első szerző:Kökényesi Sándor (fizikus)
Cím:Photo-induced surface deformation during hologram recording in a-Se films / Kikineshi, A., Palyok, V., Shiplyak, M., Szabó, I. A., Beke, D. L.
Dátum:2000
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 2 : 1 (2000), p. 95-98. -
További szerzők:Palyok, Vasil Shiplyak, M. Szabó István András (1956-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

7.

001-es BibID:BIBFORM001805
Első szerző:Kökényesi Viktor (fogszakorvos)
Cím:Preparation of calcium phosphate coatings on titanium by pulsed Nd : YAG laser processing / V. Kokenyesi, I. Popovich, M. Sichka, A. Kikineshi, L. Daroczi, D. Beke, Y. Sharkany, Cs. Hegedus
Dátum:2007
Tárgyszavak:Orvostudományok Természettudományok Klinikai orvostudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
titanium
calcium phosphate coating
laser processing
Megjelenés:Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 9 : 7 (2007), p. 2063-2067. -
További szerzők:Popovich, I. Sichka, M. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Sharkany Y. Hegedűs Csaba (1953-) (fogszakorvos)
Internet cím:elektronikus változat
Borító:

8.

001-es BibID:BIBFORM086135
Első szerző:Molnár Sándor (fizikus)
Cím:Kinetics of photo-darkening and -bleaching in amorphous As20Se80 layers : temperature dependence / S. Molnar, R. Bohdan, V. Takats, Yu. Kaganovskii, K. Vad, S. Kokenyesi
Dátum:2018
ISSN:1454-4164 1841-7132
Megjegyzések:Photo-darkening (PD) and surface relief (SR) recording is applicable for fabrication of photonic elements in amorphous chalcogenides. While SR in As20Se80 layers was found very efficient, the influence of PD on recording and thermal stability need to be established. Thermally activated transient and reversible components of PD were detected. From temperature dependent characteristic times of recording and erasing for both PD components rather low activation energies (17 and 13 meV) for the recording process and high activation energies (210 and 90 meV) for erasing were determined. The mechanisms of relevant processes and stability of optical relief recording are discussed.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 20 : 11-12 (2018), p. 646-650. -
További szerzők:Bohdan, Roland Takáts Viktor Kaganovskii, Yuri S. Vad Kálmán Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:GINOP-2.3.2-15-2016-00041
GINOP
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

9.

001-es BibID:BIBFORM085403
Első szerző:Popescu, M.
Cím:Preparation and properties of langasite and YAG amorphous films / M. Popescu; F. Sava; A. Lorinczi; M. Stegarescu; S. Georgescu; I. N. Mihailescu; G. Socol; D. Stanoi; L. Daroczi; A Kokenyesi; M. Leonovici; D. Wagner
Dátum:2005
ISSN:1454-4164 1841-7132
Megjegyzések:Amorphous thin films of langasite and YAG have been prepared from crystals targets by pulsed laser deposition, at room temperature, in vacuum, on silicon wafers. Bulges of micrometer size are formed on the film surface. Larger size bulges (10-50 micrometers in diameter) are characteristic to the annealed langasite films. Annealing at high temperatures leads to the crystallization of the films. The annealed langasite films (850 degrees C) are polycrystalline and partially oriented with the plane (001) parallel to the surface of the silicon wafer. The bulges break easily in the heat treated films. Their empty structure was remarked on the electron microscope images. The YAG films annealed at 1100 degrees C shows a crystalline YAG phase depleted in Y and traces of Y2O3. An interesting feature is the presence of silver particles spread along the macrodefects (fracture lines) of the film.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
langasite
YAG
pulsed laser deposition
amorphous
X-ray diffraction
crystallization
Megjelenés:Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials. - 7 : 2 (2005), p. 963-966. -
További szerzők:Sava, F. Lorinczi, A. Stegarescu, M. Georgescu, S. Mihailescu, I. N. Socol, G. Stanoi, D. Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Leonovici, M. Wagner, D.
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

10.

001-es BibID:BIBFORM060871
Első szerző:Trunov, V.
Cím:Direct surface relief formation in As0.2Se0.8 layer / M. Trunov, P. Lytvyn, V. Takats, I. Charnovich, S. Kokenyesi
Dátum:2009
ISSN:1454-4164 1841-7132
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
As-Se,
Surface relief
AFM
Volume Expansion
Megjelenés:Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials. - 11 : 12 (2009), p. 1959-1962. -
További szerzők:Lytvyn, P. M. Takáts Viktor Csarnovics István (1986-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:Visegradi No 50810548
Egyéb
NKTHA/OTKA K67685
Egyéb
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Rekordok letöltése1