CCL

Összesen 16 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM085381
035-os BibID:(cikkazonosító)044314
Első szerző:Adarsh, K. V.
Cím:Enhancement of photoluminescence intensity by photoinduced interdiffusion in nanolayered a-Se-As2S3 films / K. V. Adarsh, K. S. Sangunni, S. Kokenyesi, I. Ivan, M. Shipljak
Dátum:2005
ISSN:0021-8979
Megjegyzések:Optical parameters of chalcogenide glass multilayers with 12-15 nm modulation lengths prepared by thermal evaporation can be changed by laser irradiation. Photoluminescence (PL) studies were carried out on such nonirradiated and irradiated multilayered samples of a-Se/As2S3 (sublayer thickness of a-Se is 4?5 nm for one set of samples and 1-2 nm for the other set. However As2S3 sublayer thickness is 11?12 nm for both sets of samples.) PL intensity can be increased by several orders of magnitude by reducing the Se well layer (lower band gap) thickness and can be further increased by irradiating the samples with appropriate wavelengths in the range of the absorption edge. The broadening of luminescence bands takes place either with a decrease in Se layer thickness or with irradiation. The former is due to the change in interface roughness and defects because of the enhanced structural disorder while the latter is due to photoinduced interdiffusion. The photoinduced interdiffusion creates defects at the interface between Se and As2S3 by forming an As?Se?S solid solution. From the deconvoluted PL spectrum, it is shown that the peak PL intensity, full width half maximum, and the PL quantum efficiency of particular defects giving rise to PL, can be tuned by changing the sublayer thickness or by interdiffusion.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Journal of Applied Physics. - 97 : 4 (2005), p. 1-5. -
További szerzők:Sangunni, Kanatinkal S. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Iván István Shiplyak, M.
Pályázati támogatás:T046758
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM097767
Első szerző:Iván István
Cím:Ion irradiation induced crystallization in amorphous selenium films / I. Ivan, S. Kokenyesi, A. Csik
Dátum:2007
Megjegyzések:The effect of laser and ion irradiation with 180 keV deuterium ions on freshly deposited and aged amorphous selenium films has been studied by optical transmission and x-ray diffraction measurements. The ion irradiation was found to cause amorphous-amorphous structural transformations and enhancement of the crystallization rate, similarly to He-Ne laser irradiation.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Amorphous selenium
Ion induced crystallization
Photocrystallization
Photodarkening
Megjelenés:Chalcogenide letters. - 4 : 10 (2007), p. 115 - 118.
További szerzők:Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus)
Pályázati támogatás:K67685
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM094388
Első szerző:Iván István
Cím:Charge state dependent darkening in AsSe thin films induced by slow multiply charged Ne ions / I. Iván, S. Biri, J. Pálinkás, S. Kökényesi
Dátum:2009
ISSN:1454-4164 1841-7132
Megjegyzések:A charge state dependent effect of ion bombardment on the optical absorbance of AsSe thin films irradiated with 120 keV Neq+ (q = 4...8) ions have been observed and traced back to the charge state dependence of the modified layer thickness and projected range of the ions. The projected range decreases by about 20 % with increase of the ion's initial charge state from 4 to 8. The elongation of charge equilibration for highly charged ions in a solid matter is discussed as a possible reason.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
AsSe
Thin films
Ne ions
Megjelenés:Journal of Optoelectronics and Advanced Materials. - 11 : 12 (2009), p. 2008-2010. -
További szerzők:Biri Sándor Pálinkás József (1952-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:T046454
OTKA
T042729
OTKA
K67685
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

4.

001-es BibID:BIBFORM085238
Első szerző:Iván István
Cím:Structural and optical changes in As2S3 thin films induced by light ion irradiation / I. Ivan; M. Veres, I. Pócsik, S. Kokenyesi
Dátum:2004
ISSN:0031-8965 1521-396X
Megjegyzések:The influence of H+ and D+ ion irradiation and laser illumination on the optical absorption edge, the refractive index and the Raman scattering spectra of as-deposited and annealed As2S3 films have been investigated. It was established, that a significant similarity exists between optical changes induced in As2S3 films by light illumination and by irradiation with light ions and also between structural changes thought to be responsible for these effects.The changes are connected with electron excitation processes in both cases and further initiation of atomic rearrangements within the amorphous phase.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Physica Status Solidi (A). - 201 : 14 (2004), p. 3193-3199. -
További szerzők:Veres Mihály (fizikus) Pócsik I. Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:T046758
OTKA
Internet cím:DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

5.

001-es BibID:BIBFORM046139
Első szerző:Iván István
Cím:Deuteron irradiation induced changes in amorphous AsSe films / Ivan I., Szegedi S., Daroczi L., Szabo I. A., Kokenyesi S.
Dátum:2005
ISSN:0168-583X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Nuclear Instruments & Methods In Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials And Atoms 229 : 2 (2005), p. 240-245. -
További szerzők:Szegedi Sándor (fizikus) Szabó István András (1956-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
DOI
Borító:

6.

001-es BibID:BIBFORM008814
Első szerző:Iván István
Cím:Nonlinear photo-diffusion in amorphous chalcogenide multilayers / I. Ivan, I. A. Szabo, S. Kokenyesi
Dátum:2005
ISSN:1012-0386
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Defect and Diffusion Forum - Diffusion in materials: DIMAT 2004, PT 1 and 2 / M. Danielewski, R. Filipek, R. Kozubs, W. Kucza, P. Zieba P. Zurek. - 237-240 (2005), p. 1210-1215. -
További szerzők:Szabó István András (1956-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Danielewski, M. Filipek R. Kozubs R. Kucza W. Zieba P. Zurek Z. Diffusion in materials: DIMAT 2004
Internet cím:DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

7.

001-es BibID:BIBFORM008680
Első szerző:Iván István
Cím:Light and ion induced interdiffusion in amorphous chalcogenide nanomultilayers / Ivan, I., Beke, D. L., Kokenyesi, S., Szabo, I. A., Csik, A.
Dátum:2005
ISSN:1454-4164
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Journal Of Optoelectronics And Advanced Materials. - 7 : 4 (2005), p. 1831-1836. -
További szerzők:Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Szabó István András (1956-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus)
Borító:

8.

001-es BibID:BIBFORM008693
Első szerző:Iván István
Cím:Effect of pressure on photo-induced interdiffusion in amorphous chalcogenide nanomultilayers / I. Ivan, G. Erdélyi, S. Kokenyesi, D. L. Beke
Dátum:2006
ISSN:0022-3093
Megjegyzések:The effect of hydrostatic pressure on photo-induced interdiffusion in Se/As2S3 and As0.2Se0.8/As0.2S0.8 nanomultilayers has been studied in the pressure range of 0-0.9 GPa. The photo-bleaching due to the mixing was in situ detected and used to follow the interdiffusion kinetics. We have observed that the applied pressure suppressed the diffusion rate. The activation volumes of the interdiffusion process in both systems are in the range of 0.40-0.45 in average atomic volume units.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Journal of Non-Crystalline Solids. - 352 : 9-20 (2006), p. 1591-1594. -
További szerzők:Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Borító:

9.

001-es BibID:BIBFORM097368
Első szerző:Kökényesi Sándor (fizikus)
Cím:Amorphous chalcogenide nano-multilayers: research and development / S. Kokenyesi, V. Takats, I. Ivan, A. Csik, I. Szabo, D. Beke, P. Nemec, K. Sangunni, M. Shiplyak
Dátum:2007
ISSN:1789-6088
Megjegyzések:Investigations of photophysical processes in amorphous chalcogenide semiconductor layers were extended during the last decade towards the nanostructures. Nano-layered films or nanomultilayers (NML) were in the focus of the development of new photosensitive, optical recording media. A short review of the progress made in the technology of new NML structures and in the understanding correlations between stimulated interdiffusion and optical transformations, surface relief recording is presented. This is the text of the abstract.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény hazai lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Acta physica Debrecina. - 41 (2007), p. 51-58. -
További szerzők:Takáts Viktor Iván István Csik Attila (1975-) (fizikus) Szabó István András (1956-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Nemec, Petr Sangunni, Kanatinkal S. Shiplyak, M.
Pályázati támogatás:TO 467504
OTKA
K 67685
OTKA
D048594
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

10.

001-es BibID:BIBFORM042158
Első szerző:Kökényesi Sándor (fizikus)
Cím:Multipurpose 14.5GHz ECR ion source: Special features and application for surface modification / S. Kökényesi, I. Iván, E. Takács, J. Pálinkás, S. Biri, A. Valek
Dátum:2005
ISSN:0168-583X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Nuclear Instruments & Methods In Physics Research Section B-Beam Interactions With Materials And Atoms. - 233 : 1-4 (2005), p. 222-226. -
További szerzők:Iván István Takács Endre (1965-) (fizikus) Pálinkás József (1952-) (fizikus) Biri Sándor Valek Aladár
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

11.

001-es BibID:BIBFORM008797
Első szerző:Kökényesi Sándor (fizikus)
Cím:Stimulated interdiffusion and optical recording in amorphous chalcogenide nanomultilayers / Kokenyesi, S., Ivan, I., Csik, A., Szabo, I. A., Beke, D. L.
Dátum:2006
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Proceedings - Society of Photo-Optical Instrumentation Engineers - Nanoengineering: Fabrication, Properties, Optics, and Devices III. / Dobisz, E. A., Eldada, L. A. - 6327 (2006), p. 63270W.1-63270W.9. -
További szerzők:Iván István Csik Attila (1975-) (fizikus) Szabó István András (1956-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Borító:

12.

001-es BibID:BIBFORM008625
Első szerző:Kökényesi Sándor (fizikus)
Cím:Surface deformations and amplitude-phase recording in chalcogenide nanolayered structures / Kikineshi A., Palyok V., Szabo I. A., Shipljak M. Ivan I., Beke D. L.
Dátum:2002
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat
Megjelenés:XIIIth international symposium on non-oxide glasses and new optical glasses / eds. M. Frumar, T. Wagner. - p. 682-685
További szerzők:Palyok, Vasil Szabó István András (1956-) (fizikus) Shiplyak, M. Iván István Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Frumar, M. Wagner, T.
Borító:
Rekordok letöltése1 2 
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27 © 2023 Monguz kft. Minden jog fenntartva.