CCL

Összesen 6 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM058827
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Structural modification of boron-doped ZnO layers caused by hydrogen outgassing / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad
Dátum:2014
Megjegyzések:Boron-doped zinc oxide layers were prepared by Low Pressure Chemical Vapour Deposition method on polished Si, soda-lime glass for windows, and AF 45 Schott alkali free thin glass substrates. A short annealing of samples at 150oC or 300oC in air causes serious surface degradation of samples. The characteristic feature of degradation is the creation of bubbles and craters on the sample surface, which fully destroys the continuity of zinc oxide layers. The results of depth distribution mapping of elements indicate that the formation of bubbles is linked to increase in hydrogen concentration in the layer. The surface degradation was not noticed on samples deposited on AF 45 Schott alkali free thin glass which has a SiO2 diffusion barrier layer on the surface, only much fewer and smaller bubbles were visible. The results indicate the important role of hydrogen outgassing from the substrate.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:26th International Conference on Atomic Collisions in Solids. ICACS 26. Debrecen, Hungary, 13-18 July, 2014. - (2014), p. [1].
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM058838
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Surface roughness and interface study by Secondary Neutral Mass Spectrometry / R. Lovics, V. Takáts, A. Csik, J. Hakl, G.A. Langer, Zs. Baji, Z. Lábadi, K. Vad
Dátum:2012
Megjegyzések:There are numerous models in the literature, which make effort to reconstruct the depth concentration profile measured bySecondary Ion Mass spectrometry (SIMS) or Auger-electron Spectroscopy (AES), but they are only partially applicable for SNMStechnique. Surface roughness, sputtered crater shape, detection rate of different constituent elements, and some other complexnanoscale physical behaviours were taken into account systematically in a quantitative depth profile analysis performed by SNMS.The evaluation method presented here is based on statistical and probability calculations of surface roughness determinedexperimentally before and after sputtering. We show that the surface roughness is an essential parameter in determination of the thinfilm layer structures.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:14th Joint Vacuum Conference, 12th Europena Vacuum Conference, 11th Annual Meeting of the German Vacuum Society, 19th Croatian-Slovenian Vacuum Meeting. Dubrovnik, Croatia, 4-8 June, 2012 : abstract book. - (2012), p. 211.
További szerzők:Takáts Viktor Csik Attila (1975-) (fizikus) Hakl József Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Baji Zs. Lábadi Zoltán Vad Kálmán
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM058840
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Structural modification of boron-doped ZnO layers caused by hydrogen outgassing / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad
Dátum:2014
Megjegyzések:Boron-doped zinc oxide layers were prepared by Low Pressure Chemical Vapour Deposition method on polished Si, soda-lime glass for windows, and AF 45 Schott alkali free thin glass substrates. A short annealing of samples at 150oC or 300oC in air causes serious surface degradation of samples. The characteristic feature of degradation is the creation of bubbles and craters on the sample surface, which fully destroys the continuity of zinc oxide layers. The results of depth distribution mapping of elements indicate that the formation of bubbles is linked to increase in hydrogen concentration in the layer. The surface degradation was not noticed on samples deposited on AF 45 Schott alkali free thin glass which has a SiO2 diffusion barrier layer on the surface, only much fewer and smaller bubbles were visible. The results indicate the important role of hydrogen outgassing from the substrate.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:International Conference on Smart Functional Materials for Shaping our Future. Debrecen, Hungary, 19-20 Sept., 2014 : abstract book. - (2014), p. 134.
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

4.

001-es BibID:BIBFORM058839
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Thermal assisted motion of oxygen and hydrogen in zinc oxide layer / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad
Dátum:2014
Megjegyzések:Boron-doped zinc oxide layers were prepared by Low Pressure Chemical Vapour Deposition method on polished Si, soda-limeglass for windows, and AF 45 Schott alkali free thin glass substrates. A short annealing of samples at 150 OC or 300 OC in aircan cause a serious surface degradation of samples. The characteristic feature of degradation is the creation of bubbles andcraters on the sample surface, which fully destroys the continuity of zinc oxide layers. The results of depth distributionmapping of elements indicate that the formation of bubbles is linked to the increase in hydrogen and oxygen concentration inthe layer. The surface degradation was not experienced on samples deposited on AF 45 Schott alkali free thin glass which hasa SiO2 diffusion barrier layer on the surface, only much fewer and smaller bubbles were visible. The results indicate theimportant role of hydrogen outgassing from the substrate.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:16th International Conference on Thin Films : abstract book. - (2014), p. 256.
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

5.

001-es BibID:BIBFORM058801
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Structural modification of boron-doped ZnO layers caused by hydrogen outgassing / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad
Dátum:2015
ISSN:0168-583X
Megjegyzések:Results of annealing experiments of boron-doped zinc oxide (ZnO:B) layers prepared by low pressurechemical vapor deposition method on polished Si, soda-lime glass for windows, and AF45 Schott alkalifree thin glass substrates are presented. It is shown that short annealing of samples at 150 C and300 C in air causes serious surface degradation of samples prepared on Si and soda-lime glass substrate.The characteristic feature of degradation is the creation of bubbles and craters on the sample surfacewhich fully destroy the continuity of zinc oxide layers. The results of depth distribution mapping of elementsindicate that the formation of bubbles is linked to increase in hydrogen concentration in the layer.The surface degradation was not noticed on samples deposited on AF45 Schott alkali free thin glass whichhas a SiO2 diffusion barrier layer on the surface, only much fewer and smaller bubbles were visible. Theresults indicate the important role of hydrogen outgassing from the substrate induced by a thermalshock.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Boron-doped zinc oxide
TCO layers
Solar cell
Hydrogen outgassing
Megjelenés:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 354 (2015), p. 305-307. -
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán
Pályázati támogatás:TÁMOP-4.2.2.A-11/1/KONV-2012-0036
TÁMOP
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

6.

001-es BibID:BIBFORM037918
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Depth profile analysis of solar cells by Secondary Neutral Mass Spectrometry using conducting mesh / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad, G. A. Langer
Dátum:2012
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Spolar cell
Depth profile analysis
SNMS
Conducting mesh
Megjelenés:Vacuum. - 86 : 6 (2012), p. 721-723. -
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus)
Pályázati támogatás:73424
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Rekordok letöltése1 
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27 © 2023 Monguz kft. Minden jog fenntartva.