CCL

Összesen 11 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM058827
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Structural modification of boron-doped ZnO layers caused by hydrogen outgassing / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad
Dátum:2014
Megjegyzések:Boron-doped zinc oxide layers were prepared by Low Pressure Chemical Vapour Deposition method on polished Si, soda-lime glass for windows, and AF 45 Schott alkali free thin glass substrates. A short annealing of samples at 150oC or 300oC in air causes serious surface degradation of samples. The characteristic feature of degradation is the creation of bubbles and craters on the sample surface, which fully destroys the continuity of zinc oxide layers. The results of depth distribution mapping of elements indicate that the formation of bubbles is linked to increase in hydrogen concentration in the layer. The surface degradation was not noticed on samples deposited on AF 45 Schott alkali free thin glass which has a SiO2 diffusion barrier layer on the surface, only much fewer and smaller bubbles were visible. The results indicate the important role of hydrogen outgassing from the substrate.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:26th International Conference on Atomic Collisions in Solids. ICACS 26. Debrecen, Hungary, 13-18 July, 2014. - (2014), p. [1].
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM058825
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Átlátszó vezető oxidrétegek tulajdonságainak vizsgálata / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, K. Vad, G. A. Langer
Dátum:2010
Megjegyzések:Napjaink folytonosan növekedő energiaigényét a hagyományos energiaforrások egyre kevésbé tudják biztosítani. Ennek és a hagyományos erőművek okozta környezeti szennyezések csökkentésére irányuló törekvéseknek köszönhetően egyre növekszik a megújuló energiák iránti igény. A megújuló energiaforrások egyik fajtája a napenergiát közvetlenül elektromos energiává átalakító napelemek. Bár számos különböző típusú és hatásfokú napelem létezik, gyártási technológiájukat tekintve is különbözőek, de mindegyikben megtalálható egy optikailag áteresztő és elektromosan jól vezető TCO (Transparent Conductive Oxide) réteg. Feladata, hogy a beérkező napsugárzásból minél többet áteresszen az aktív rétegek felé és a fotonok visszaszóródását biztosítva növelje a cella hatásfokát. Helyes kialakítása jelentősen befolyásolja a napelem-cella hatásfokát, így a fejlesztések egyik fő feladata a megfelelően jó oxid rétegek létrehozása az előállítási költségek minimalizálása mellett.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat
Megjelenés:"Új fények a fizikában" : Fizikus vándorgyűlés Pécs, 2010. augusztus 24-27. / szerk. Ádám Péter Mechler Mátyás Illés. - p. 45.
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Vad Kálmán Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus)
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM058822
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:SNMS depth profile analysis of solar cells using conducting mesh / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, K. Vad, G.A. Langer
Dátum:2010
Megjegyzések:A new and promising approach for photovoltaic application of microcrystalline silicon (?-Si) is the so-called "micromorph tandem" structure, which is a serial combination of an amorphous and a microcrystalline cell. The development and implementation of that technology into industrial manufacturing line may result in the reduction of specific processing costs and increasing efficiency. On the other hand, not only the production, but the analysis of the produced layers is also important in order to improve the technology efficiency. One of the most effective used technique for the dept profile analysis of these samples is the Secondary Neutral Mass Spectrometry (SNMS). However, in the case of insulating samples the surface charge can be a serious problem during depth profile analysis. Beside of the earlier developed high frequency mode (HFM) of electron-gas SNMS there is another method to prevent the charge accumulation. By using a conducting mesh (e.g. copper, stainless steel) placed on the sample surface, we have an opportunity to neutralize the surface charge during measurements.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:13th Joint Vacuum Conference June 20-24, 2010, Štrbské Pleso. - (2010), p. 15.
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Vad Kálmán Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus)
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

4.

001-es BibID:BIBFORM058837
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Depth Profile Analysis of Amorphous/Microcrystalline Si Solar Cells by Secondary Neutral Mass Spectroscopy / R. Lovics, V. Takáts, A. Csik, G.A. Langer, K. Vad
Dátum:2010
Megjegyzések:Quantitative depth profile analysis performed by a Secondary Neutral Mass Spectrometer (SNMS) is a promising method to investigate the layerstructure of solar cells. SNMS is a destructive analysis technique based on the measurement of secondary neutral particles sputtered from the surfaceof a sample. The sputtering can be performed by an ion beam. While the emitted secondary ions can be analyzed by Secondary Ion MassSpectrometry (SIMS), the neutral atoms can be analyzed by SNMS. In the case of insulating samples the surface roughness and surface chargeaccumulation can cause a serious problem during depth profile analyses. The high frequency mode (HFM) developed to electron-gas SNMS and aconducting metallic mesh placed on the sample surface can prevent this charge accumulation. TCO layers have high surface roughness, because aspecial surface texture is inevitable to maximize the solar cell efficiency. We have applied these methods simultaneously during depth profile analysisof TCO layers and n-i-p:Si diodes.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition, 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, Valencia, Spain : annual report. - (2010), p. 25.
További szerzők:Takáts Viktor Csik Attila (1975-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Vad Kálmán
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

5.

001-es BibID:BIBFORM058838
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Surface roughness and interface study by Secondary Neutral Mass Spectrometry / R. Lovics, V. Takáts, A. Csik, J. Hakl, G.A. Langer, Zs. Baji, Z. Lábadi, K. Vad
Dátum:2012
Megjegyzések:There are numerous models in the literature, which make effort to reconstruct the depth concentration profile measured bySecondary Ion Mass spectrometry (SIMS) or Auger-electron Spectroscopy (AES), but they are only partially applicable for SNMStechnique. Surface roughness, sputtered crater shape, detection rate of different constituent elements, and some other complexnanoscale physical behaviours were taken into account systematically in a quantitative depth profile analysis performed by SNMS.The evaluation method presented here is based on statistical and probability calculations of surface roughness determinedexperimentally before and after sputtering. We show that the surface roughness is an essential parameter in determination of the thinfilm layer structures.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:14th Joint Vacuum Conference, 12th Europena Vacuum Conference, 11th Annual Meeting of the German Vacuum Society, 19th Croatian-Slovenian Vacuum Meeting. Dubrovnik, Croatia, 4-8 June, 2012 : abstract book. - (2012), p. 211.
További szerzők:Takáts Viktor Csik Attila (1975-) (fizikus) Hakl József Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Baji Zs. Lábadi Zoltán Vad Kálmán
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

6.

001-es BibID:BIBFORM058840
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Structural modification of boron-doped ZnO layers caused by hydrogen outgassing / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad
Dátum:2014
Megjegyzések:Boron-doped zinc oxide layers were prepared by Low Pressure Chemical Vapour Deposition method on polished Si, soda-lime glass for windows, and AF 45 Schott alkali free thin glass substrates. A short annealing of samples at 150oC or 300oC in air causes serious surface degradation of samples. The characteristic feature of degradation is the creation of bubbles and craters on the sample surface, which fully destroys the continuity of zinc oxide layers. The results of depth distribution mapping of elements indicate that the formation of bubbles is linked to increase in hydrogen concentration in the layer. The surface degradation was not noticed on samples deposited on AF 45 Schott alkali free thin glass which has a SiO2 diffusion barrier layer on the surface, only much fewer and smaller bubbles were visible. The results indicate the important role of hydrogen outgassing from the substrate.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:International Conference on Smart Functional Materials for Shaping our Future. Debrecen, Hungary, 19-20 Sept., 2014 : abstract book. - (2014), p. 134.
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

7.

001-es BibID:BIBFORM058839
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Thermal assisted motion of oxygen and hydrogen in zinc oxide layer / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad
Dátum:2014
Megjegyzések:Boron-doped zinc oxide layers were prepared by Low Pressure Chemical Vapour Deposition method on polished Si, soda-limeglass for windows, and AF 45 Schott alkali free thin glass substrates. A short annealing of samples at 150 OC or 300 OC in aircan cause a serious surface degradation of samples. The characteristic feature of degradation is the creation of bubbles andcraters on the sample surface, which fully destroys the continuity of zinc oxide layers. The results of depth distributionmapping of elements indicate that the formation of bubbles is linked to the increase in hydrogen and oxygen concentration inthe layer. The surface degradation was not experienced on samples deposited on AF 45 Schott alkali free thin glass which hasa SiO2 diffusion barrier layer on the surface, only much fewer and smaller bubbles were visible. The results indicate theimportant role of hydrogen outgassing from the substrate.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok poszter
Megjelenés:16th International Conference on Thin Films : abstract book. - (2014), p. 256.
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

8.

001-es BibID:BIBFORM058808
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Study of Atomic Migration in Zinc Oxide Layers by Depth Profile Analysis / Riku Lovics, Attila Csík, Viktor Takáts, Gábor Langer, Kálmán Vad
Dátum:2012
Megjegyzések:Atomic diffusion in ZnO layers produced by CVD was studied by quantitative depth profile analysesperformed by a Secondary Neutral Mass Spectrometer (SNMS). This sputter-based method is a suitable technique tomeasure the chemical composition of TCO layers and solar cell structures as a function of depth. The depth profilemeasurements reveal that the oxygen content of the ZnO layer is not a homogeneous one. The oxygen concentrationis higher near the film surface than near the substrate. This phenomenon seems to be an inherent property of the CVDtechnology. The oxygen distribution can be alter by annealing the sample in air due to the diffusion of the excessoxygen out of the film. The Na diffusion from the glass substrate through the ZnO layer was also studied by SNMSdepth profile analysis. We could show that Na from the substrate can migrate into the diode layer through the ZnO.
ISBN:3-936338-28-0
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat
Megjelenés:27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition. - p. 2530-2531. -
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Vad Kálmán
Pályázati támogatás:TFSOLAR2
OTKA
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
DOI
Borító:

9.

001-es BibID:BIBFORM058807
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Depth Profile Analysis of Amorphous/Microcrystalline Si Solar Cells by Secondary Neutral Mass Spectroscopy / Riku Lovics, Viktor Takáts, Attila Csik, Gábor Langer, Kálmán Vad
Dátum:2010
Megjegyzések:Quantitative depth profile analysis performed by a Secondary Neutral Mass Spectrometer (SNMS) is apromising method to investigate the layer structure of solar cells. SNMS is a destructive analysis technique based onthe measurement of secondary neutral particles sputtered from the surface of a sample. The sputtering can beperformed by an ion beam. While the emitted secondary ions can be analyzed by Secondary Ion Mass Spectrometry(SIMS), the neutral atoms can be analyzed by SNMS. In the case of insulating samples the surface roughness andsurface charge accumulation can cause a serious problem during depth profile analyses. A high frequency modedeveloped to electron-gas SNMS in combination with a conducting metallic mesh placed on the sample surface canprevent this charge accumulation. TCO layers have high surface roughness, because a special surface texture in orderto maximize the solar cell efficiency. We have applied these methods to depth profile analysis of TCO layers and n-ip:Si diodes.
ISBN:3-936338-26-4
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat
Megjelenés:5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion, 6-10 September 2010, Valencia, Spain. - p. 3152-3153. -
További szerzők:Takáts Viktor Csik Attila (1975-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Vad Kálmán
Pályázati támogatás:TFSOLAR2
OTKA
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
DOI
Borító:

10.

001-es BibID:BIBFORM058801
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Structural modification of boron-doped ZnO layers caused by hydrogen outgassing / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad
Dátum:2015
ISSN:0168-583X
Megjegyzések:Results of annealing experiments of boron-doped zinc oxide (ZnO:B) layers prepared by low pressurechemical vapor deposition method on polished Si, soda-lime glass for windows, and AF45 Schott alkalifree thin glass substrates are presented. It is shown that short annealing of samples at 150 C and300 C in air causes serious surface degradation of samples prepared on Si and soda-lime glass substrate.The characteristic feature of degradation is the creation of bubbles and craters on the sample surfacewhich fully destroy the continuity of zinc oxide layers. The results of depth distribution mapping of elementsindicate that the formation of bubbles is linked to increase in hydrogen concentration in the layer.The surface degradation was not noticed on samples deposited on AF45 Schott alkali free thin glass whichhas a SiO2 diffusion barrier layer on the surface, only much fewer and smaller bubbles were visible. Theresults indicate the important role of hydrogen outgassing from the substrate induced by a thermalshock.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Boron-doped zinc oxide
TCO layers
Solar cell
Hydrogen outgassing
Megjelenés:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B. - 354 (2015), p. 305-307. -
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán
Pályázati támogatás:TÁMOP-4.2.2.A-11/1/KONV-2012-0036
TÁMOP
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

11.

001-es BibID:BIBFORM037918
Első szerző:Lovics Riku (fizikus)
Cím:Depth profile analysis of solar cells by Secondary Neutral Mass Spectrometry using conducting mesh / R. Lovics, A. Csik, V. Takáts, J. Hakl, K. Vad, G. A. Langer
Dátum:2012
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Spolar cell
Depth profile analysis
SNMS
Conducting mesh
Megjelenés:Vacuum. - 86 : 6 (2012), p. 721-723. -
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Hakl József Vad Kálmán Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus)
Pályázati támogatás:73424
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Rekordok letöltése1 
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27 © 2023 Monguz kft. Minden jog fenntartva.