Magyar
Toggle navigation
Tudóstér
Magyar
Tudóstér
Keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Böngészés
Saját polc tartalma
(
0
)
Korábbi keresések
CCL parancs
CCL
Összesen 2 találat.
#/oldal:
12
36
60
120
Rövid
Hosszú
MARC
Részletezés:
Rendezés:
Szerző növekvő
Szerző csökkenő
Cím növekvő
Cím csökkenő
Dátum növekvő
Dátum csökkenő
1.
001-es BibID:
BIBFORM086130
Első szerző:
Molnár Sándor (fizikus)
Cím:
Direct surface patterning of amorphous chalcogenide layers with high- energy H+ and He+ ion beams / S. Molnar, R. Bohdan, Gy. Nagy, I. Rajta, L. Illes, A. Csik, S. Kokenyesi
Dátum:
2019
ISSN:
0957-4522
Megjegyzések:
As (Ge)-S (Se) based amorphous bulk chalcogenide glasses and layers have been used for surface geometrical relief recording by 2 MeV energy H+ and He+ ion-beams. The formation of giant (height modulation from nanometers up to micrometers) geometrical reliefs (dots, lines), have been investigated. Efficiency of surface patterning was compared for selected compositions, type of ion beam and conductivity of substrates. Comparisons with optical and e-beam recording were made with aim to establish the details of relief formation mechanisms. The results show applicability of high-energy ion beams for in situ fabrication of planar optical elements on the surface of chalcogenide glasses (bulk samples or amorphous films).
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:
Journal of Materials Science-Materials in Electronics. - 30 : 16 (2019), p. 15331-15338. -
További szerzők:
Bohdan, Roland
Nagy Gyula (1986-) (környezetkutató fizikus)
Rajta István (1970-) (fizikus)
Illés Levente
Csik Attila (1975-) (fizikus)
Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:
GINOP-2.3.2-15-2016-00041
GINOP
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
2.
001-es BibID:
BIBFORM078501
Első szerző:
Nagy Gyula (környezetkutató fizikus)
Cím:
Morphological changes of poly(tetrafluoroethylene) surface due to low current density proton irradiation / G. U. L. Nagy, R. Kerékgyártó, A. Csík, L. Daróczi, I. Rajta
Dátum:
2019
ISSN:
0168-583X
Megjegyzések:
The changes of the surface morphology of poly(tetrafluoroethylene) due to proton irradiation was investigated. 1?MeV proton beam was used for the irradiations with relatively low current densities, in the range of 10-100,000?pA/mm2. The applied ion fluences ranged from 0.1 to 2500?nC/mm2 (6.24?*?1010-1.56?*?1015?ion/cm2). The surface was characterized by interference contrast microscopy, surface profilometry and scanning electron microscopy. The results show that at each current density the surface can be machined, and the etching depth is increasing with increasing ion fluence, up to a certain point. However, in each case there is a threshold value, between 50 and 100?nC/mm2, where the process turns back. First, the etching depth starts to decrease. Later, by further increasing the delivered ion fluence, an opposite process begins and the surface becomes protruding.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
poly(tetrafluorethylene)
ptfe
material modification
scanning nuclear microproble
proton beam writing
Megjelenés:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B Beam Interactions with Materials and Atoms. - 449 (2019), p. 71-74. -
További szerzők:
Kerékgyártó R.
Csik Attila (1975-) (fizikus)
Daróczi Lajos (1965-) (fizikus)
Rajta István (1970-) (fizikus)
Pályázati támogatás:
ÚNKP-17-3
Egyéb
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
Rekordok letöltése
1
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27
© 2023
Monguz kft.
Minden jog fenntartva.