Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM089556
Első szerző:	Soha Márton (PhD hallgató)
Cím:	Investigation of n-type silicon cells with controlled ppb level contaminations of different transition metals / Soha Márton, Mihaly Braun, Adam Braun, Viktor Takats, Csík Attila, Jozsef Hakl, Tamas Fodor, Michael Haslinger, Mateusz Gocyla, Joachim John, Istvan Szabo, Kalman Vad
Dátum:	2018
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat könyvrészlet
Megjelenés:	17th Joint Vacuum Conference : Book of absrtacts. - p. 112-112.
További szerzők:	Braun Mihály (1966-) (vegyész, analitikus) Braun Ádám Takáts Viktor Csik Attila (1975-) (fizikus) Hakl József Fodor Tamás Haslinger, Michael Gocyla, Mateusz John, Joachim Szabó István András (1956-) (fizikus) Vad Kálmán
Pályázati támogatás:	GINOP-2.3.2-15-2016-00041 GINOP
Internet cím:	Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM086038
035-os BibID:	(cikkazonosító)146299 (WoS)000539640800001 (Scopus)85083395474
Első szerző:	Soha Márton (PhD hallgató)
Cím:	Investigation of ppb-level surface contamination of n-type silicon solar cells / Soha Márton, Braun Mihály, Takáts Viktor, Hakl József, Fodor Tamás, Braun Ádám, Szabó István, Michael Haslinger, Joachim John, Vad Kálmán
Dátum:	2020
ISSN:	0169-4332
Tárgyszavak:	Természettudományok Kémiai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk
Megjelenés:	Applied Surface Science. - 520 (2020), p. 1-7. -
További szerzők:	Braun Mihály (1966-) (vegyész, analitikus) Takáts Viktor Hakl József Fodor Tamás (1987-) (vegyész) Braun Ádám Szabó István András (1956-) (fizikus) Haslinger, Michael John, Joachim Vad Kálmán
Pályázati támogatás:	GINOP-2.3.2-15-2016-00041 GINOP
Internet cím:	Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat Szerző által megadott URL DOI
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM118621
035-os BibID:	(cikkazonosító)e25516 (WoS)001181580100001 (Scopus)85183967054
Első szerző:	Takáts Viktor
Cím:	Characterization of nanoscale atomic motion of Si in polycrystalline Cu layer / Viktor Takáts, Eszter Bodnár, Yuri Kaganovskii, Tamás Fodor, József Hakl, Sándor Molnár, Márton Soha, Kálmán Vad
Dátum:	2024
ISSN:	2405-8440
Megjegyzések:	Atomic migration of silicon through grain boundaries of a thin polycrystalline Cu film and island formation on the Cu surface were studied in the temperature range of 403?520 K. Samples used in these experiments was prepared on Si(111) wafers by room temperature magnetron sputtering and they consisted of amorphous Si layer (80 nm) and polycrystalline Cu layer (40 nm). The silicon layer served as the source layer of diffusion, while the copper surface was the accumulation surface. Detection of Si atoms on the accumulation surface after penetration through the Cu layer was made by low energy ion scattering spectroscopy and the grain boundary diffusion coefficient DGB was determined from the appearance time. The depth distribution of Si in the Cu film was analysed by secondary neutral mass spectroscopy. From this depth distribution, DGB was also determined. By scanning probe microscope and electron microscope measurements, it was experimentally detected that Si atoms on the Cu surface did not form a continuous layer. Instead, amorphous Si islands were formed at the accumulation surface with surface protrusions in their centres.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk Cu/Si nanolayers Grain boundary diffusion Low energy ion scattering Nanocrystalline Cu Nanoscale diffusion
Megjelenés:	Heliyon. - 10 : 3 (2024), p. 1-9. -
További szerzők:	Bodnár Eszter (1995-) (fizikus) Kaganovskii, Yuri S. Fodor Tamás Hakl József Molnár Sándor Soha Márton (1990-) (PhD hallgató) Vad Kálmán
Pályázati támogatás:	TKP2021-NKTA-42 Egyéb 2019-2.1.7-ERANET-2021-00021 Egyéb
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon: