CCL

Összesen 3 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM118843
035-os BibID:(cikkazonosító)111260 (WoS)000819305900002 (Scopus)85132791850
Első szerző:Bodnár Eszter (fizikus)
Cím:Grain boundary diffusion of Si in polycrystalline copper film / Eszter Bodnár, Viktor Takáts, Tamás Fodor, József Hakl, Yuri Kaganovskii, Guang Yang, Xiaogang Yao,Kálmán Vad
Dátum:2022
ISSN:0042-207X
Megjegyzések:Grain boundary (GB) diffusion of Si in polycrystalline Cu film was studied in the temperature range of 403?453 K, in the C-type kinetic regime. The amorphous Si layer (80 nm) and polycrystalline Cu layer (40 nm) were successively deposited by magnetron sputtering at room temperature onto a Si (111) wafer. Appearance of Si atoms on the copper surface due to GB diffusion through the copper layer was detected by low energy ion scattering spectroscopy with high sensitivity. The depth distribution of Si in Cu grain boundaries was revealed by secondary neutral mass spectrometry. Surface morphology of Cu films was investigated by scanning tunneling microscopy. Identification of Si chemical bonds on the surface layer was made by X-ray photoelectron spectroscopy. GB diffusion coefficients were estimated by the relation used for calculation of diffusant distribution from a constant source in assumption that the diffusion path equals to the film thickness at the moment of appearing Si atoms on the Cu surface. At 453 K we estimated the surface segregation factor and detected formation of Cu?O?Si atomic bonds on the Cu film surface.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Cu/Si nanolayers
Grain boundary diffusion
Low energy ion scattering
Nanoscale diffusion
Megjelenés:Vacuum. - 203 (2022), p.1-5. -
További szerzők:Takáts Viktor Fodor Tamás Hakl József Kaganovskii, Yuri S. Yang, Guang Yao, Xiaogang Vad Kálmán
Pályázati támogatás:TKP2021-NKTA-42
Egyéb
2019-2.1.7-ERANET-2021-00021
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM118858
Első szerző:Takáts Viktor
Cím:A kabai meteorit vizsgálata SNMS, XPS és mikro-Pixe analitikai módszerekkel / Takáts Viktor, Bereczki Helga Fruzsina, Csik Attila, Bodnár Eszter, Kertész Zsófia, Szikszai Zita, Szoboszlai Zoltán
Dátum:2018
Megjegyzések:The Kaba meteorite was studied by modern analitical methods of materials science at Institute for Nuclear Research in Debrecen. The following methods were used to analyze the sample: X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS), Secondary Mass Spectrometry (SNMS) and Proton-Induced X-ray Emission (PIXE). It was Found that isotope ratios of the elements are very similar to the natural isotope ratios of elements of the Earth. This indicates that the origin of the meteorite is our Solar System. The hybridization of the cabon bonding was found of diamond-like form.
ISBN:978 963 318 053 2
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat
könyvrészlet
elemösszetétel
izotóparány
sp26sp3 hibridizáció
D-paraméter
meteorit
Megjelenés:Átfogó kutatások a kabai meteoriton : a kabai meteorit hullásának 160. évében rendezett nemzetközi konferencia előadásai : 2017. november 8. Református Kollégium, Debrecen / szerk. Nagy Mihály, Rózsa Péter, McIntosh Richard William. - p. 179-184. -
További szerzők:Bereczki Helga Fruzsina (1986-) (vegyész) Csik Attila (1975-) (fizikus) Bodnár Eszter (1995-) (fizikus) Kertész Zsófia (1971-) (fizikus) Szikszai Zita (1969-) (fizikus) Szoboszlai Zoltán (1980-) (fizikus)
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM118621
035-os BibID:(cikkazonosító)e25516 (WoS)001181580100001 (Scopus)85183967054
Első szerző:Takáts Viktor
Cím:Characterization of nanoscale atomic motion of Si in polycrystalline Cu layer / Viktor Takáts, Eszter Bodnár, Yuri Kaganovskii, Tamás Fodor, József Hakl, Sándor Molnár, Márton Soha, Kálmán Vad
Dátum:2024
ISSN:2405-8440
Megjegyzések:Atomic migration of silicon through grain boundaries of a thin polycrystalline Cu film and island formation on the Cu surface were studied in the temperature range of 403?520 K. Samples used in these experiments was prepared on Si(111) wafers by room temperature magnetron sputtering and they consisted of amorphous Si layer (80 nm) and polycrystalline Cu layer (40 nm). The silicon layer served as the source layer of diffusion, while the copper surface was the accumulation surface. Detection of Si atoms on the accumulation surface after penetration through the Cu layer was made by low energy ion scattering spectroscopy and the grain boundary diffusion coefficient DGB was determined from the appearance time. The depth distribution of Si in the Cu film was analysed by secondary neutral mass spectroscopy. From this depth distribution, DGB was also determined. By scanning probe microscope and electron microscope measurements, it was experimentally detected that Si atoms on the Cu surface did not form a continuous layer. Instead, amorphous Si islands were formed at the accumulation surface with surface protrusions in their centres.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Cu/Si nanolayers
Grain boundary diffusion
Low energy ion scattering
Nanocrystalline Cu
Nanoscale diffusion
Megjelenés:Heliyon. - 10 : 3 (2024), p. 1-9. -
További szerzők:Bodnár Eszter (1995-) (fizikus) Kaganovskii, Yuri S. Fodor Tamás Hakl József Molnár Sándor Soha Márton (1990-) (PhD hallgató) Vad Kálmán
Pályázati támogatás:TKP2021-NKTA-42
Egyéb
2019-2.1.7-ERANET-2021-00021
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Rekordok letöltése1