Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM008872
Első szerző:	Csik Attila (fizikus)
Cím:	Investigation of thermal stability of hydrogenated amorphous Si/Ge multilayers / Csik, A., Serenyi, M., Erdelyi, Z., Nemcsics, A., Cserhati, C., Langer, G. A., Beke, D. L., Frigeri, C., Simon, A.
Dátum:	2010
ISSN:	0042-207X
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:	Vacuum. - 84 : 1 (2010), p. 137-140. -
További szerzők:	Serényi Miklós Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Nemcsics A. Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Frigeri, Cesare Simon Alíz (1975-) (fizikus)
Internet cím:	elektronikus változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM008873
Első szerző:	Erdélyi Zoltán (fizikus)
Cím:	Interface kinetics and morphology on the nanoscale / Erdelyi, Z., Beke, D. L., Langer, G. A., Csik, A., Cserhati, C., Balogh, Z.
Dátum:	2010
ISSN:	0042-207X
Megjegyzések:	Diffusion on the nanoscale in multilayer, thin films has many challenging features even if the role of structural defects can be neglected and 'only' the effects related to the nanoscale arise. Recently, we have discovered different examples for diffusional nanoscale effects, which are summarized in this contribution. Interface shift kinetics may be different from the ones predicted by continuum approximations (anomalous kinetics). Moreover we show that in solid state reactions, reaction layers form and start to grow highly non-stoichiometrically and an initially existing stoichiometric compound layer may dissolve then re-form non-stoichiometrically. Our findings are of primary importance for nanotechnologies where early stages of solid state reaction (SSR) are utilized. We also show that an initially diffused interface may sharpen even in completely miscible systems. This phenomenon could provide a useful tool for the improvement of interfaces and offer a way to fabricate, for example, better X-ray or neutron mirrors, microelectronic devices, or, multilayers with giant magnetic resistance. A variety of different UHV-based techniques (AES/XPS and synchrotron facilities) have been used to prove the above theoretical findings in different systems (e.g. Ni/Cu, Ni/Au, Si/Ge, Co/Si).
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:	Vacuum. - 84 : 1 (2010), p. 26-31. -
További szerzők:	Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Balogh Zoltán (1982-) (fizikus)
Internet cím:	elektronikus változat DOI
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM008886
Első szerző:	Szörényi T.
Cím:	Laser direct writing of tin oxide patterns / T. Szörényi, Z. Geretovszky, J. Tóth, A. Simon, Cs. Cserháti
Dátum:	1998
ISSN:	0042-207X
Megjegyzések:	Tin oxide pattern generation by laser deposition from SnCl4. 5H(2)O in isopropanol is reported. Smooth, even stripes of thicknesses ranging from 20 to 120 nm with sharp, well defined edges and cross-section are deposited by scanning Ar+ laser beam (lambda = 514.5 nm) focused onto the substrate-solution interface with a constant speed of 1 mm s(-1). The linewidth linearly increases from 26 to 42 mu m with increasing the power from 40 to 120 mW. The reproducibility of pattern generation is extremely good as revealed by SEM-EDXI and mu RBS. The minimum DC resistivity of 1.7 x 10(-2) Omega cm, measured without any process optimization, favourably compares with those reported for films prepared by other techniques. The chemical composition of the film material is SnOx with 1.1 < x < 1.5 as determined by an XPS-XAES study.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:	Vacuum. - 50 : 3-4 (1998), p. 327-329. -
További szerzők:	Geretovszky Z. Tóth József (fizikus) Simon Alíz (1975-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus)
Borító:
Saját polcon: