CCL

Összesen 7 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM004226
Első szerző:Balogh Zoltán (fizikus)
Cím:Silicide formation reactions in a-Si/Co multilayered samples / Z. Balogh, C. Cserháti, Z. Erdélyi, A. Csik, G. A. Langer, I. Zizak, N. Darowski, E. Dudzik, R. Feyerherm, D. L. Beke
Dátum:2008
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Defect and Diffusion Forum. - 277 (2008), p. 3-8. -
További szerzők:Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Zizak, I. Darowski, N. Dudzik, E. Feyerherm, R. Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:elektronikus változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM008870
Első szerző:Beke Dezső László (fizikus)
Cím:Non Parabolic Shift of Interfaces and Effect of Diffusion Asymmetry on Nanoscale Solid State Reactions / D. L. Beke, Z. Erdélyi, Z. Balogh, Cs. Cserháti, G. L. Katona
Dátum:2009
ISSN:1662-5250
Megjegyzések:In a set of recent papers we have shown that the diffusion asymmetry in diffusion couples (the diffusion coefficient is orders of magnitude larger in one of the parent materials) leads to interesting phenomena: i) sharp interface remains sharp and shifts with non Fickian (anomalous) kinetics (1-5], ii) originally diffuse interface sharpens even in ideal (completely miscible) systems [6,71, iii) an initially existing thin AB phase in A/AB/B diffusion couple can be dissolved [8], iv) there exists a crossover thickness (typically between few nanometers and 1 mu m) above which the interface shift turns back to the Fickian behaviour [9], v) the growth rate of a product of solid state reaction can be linear even if there is no any extra potential barrier present (which is the classical interpretation of the "interface reaction control" for linear kinetics) [10]. These latter results will be summarized and reformulated according to the usual expression for linear-parabolic law containing the interdiffusion coefficient, D, and interface transfer coefficient, K. Relation between the activation energies of D and K will be analyzed and compared with available experimental data.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Journal of Nano Research. - 7 (2009), p. 43-49. -
További szerzők:Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Balogh Zoltán (1982-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus)
Internet cím:elektronikus változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM008871
Első szerző:Cserháti Csaba (fizikus)
Cím:Characterization of intermetallic layer with nanoresolution using X-ray standing wave technique / C. Cserháti, Z. Erdélyi, Z. Balogh, L. Daróczi, A. Csik, G. Langer, M. Varga, I. Zizak, A. Erko, D. L. Beke
Dátum:2009
ISSN:1012-0386
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Defect and Diffusion Forum. - 289-292 (2009), p. 369-376. -
További szerzők:Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Balogh Zoltán (1982-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Varga M. Zizak, I. Erko, A. Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:elektronikus változat
Borító:

4.

001-es BibID:BIBFORM008706
Első szerző:Cserháti Csaba (fizikus)
Cím:Linear growth kinetics of Nanometric silicides in Co/amorphous-Si and Co/CoSi/amorphous-Si thin films / Cserháti, C., Balogh, Z., Csik, A., Langer, G. A., Erdélyi, Z., Glodan, Gy., Katona, G. L., Beke, D. L., Zizak, I., Darowska, N., Dudzik, E., Feyerherm, R.
Dátum:2008
ISSN:0021-8979
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Journal of Applied Physics 104 : 2 (2008), p. 024311-1-6. -
További szerzők:Balogh Zoltán (1982-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Glodán Györgyi (1985-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Zizak, I. Darowska, N. Dudzik, E. Feyerherm, R.
Internet cím:elektronikus változat
DOI
Borító:

5.

001-es BibID:BIBFORM004222
Első szerző:Cserháti Csaba (fizikus)
Cím:Co Anomalous Growth Kinetics of the CoSi Reaction Layer in a Si/System / C. Cserháti, Gy. Glodán, A. Csik, G. A. Langer, Z. Erdélyi, Z. Balogh, D. L. Beke
Dátum:2008
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Defect and Diffusion Forum. - 273-276 (2008), p. 99-104. -
További szerzők:Glodán Györgyi (1985-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Balogh Zoltán (1982-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:elektronikus változat
Borító:

6.

001-es BibID:BIBFORM008873
Első szerző:Erdélyi Zoltán (fizikus)
Cím:Interface kinetics and morphology on the nanoscale / Erdelyi, Z., Beke, D. L., Langer, G. A., Csik, A., Cserhati, C., Balogh, Z.
Dátum:2010
ISSN:0042-207X
Megjegyzések:Diffusion on the nanoscale in multilayer, thin films has many challenging features even if the role of structural defects can be neglected and 'only' the effects related to the nanoscale arise. Recently, we have discovered different examples for diffusional nanoscale effects, which are summarized in this contribution. Interface shift kinetics may be different from the ones predicted by continuum approximations (anomalous kinetics). Moreover we show that in solid state reactions, reaction layers form and start to grow highly non-stoichiometrically and an initially existing stoichiometric compound layer may dissolve then re-form non-stoichiometrically. Our findings are of primary importance for nanotechnologies where early stages of solid state reaction (SSR) are utilized. We also show that an initially diffused interface may sharpen even in completely miscible systems. This phenomenon could provide a useful tool for the improvement of interfaces and offer a way to fabricate, for example, better X-ray or neutron mirrors, microelectronic devices, or, multilayers with giant magnetic resistance. A variety of different UHV-based techniques (AES/XPS and synchrotron facilities) have been used to prove the above theoretical findings in different systems (e.g. Ni/Cu, Ni/Au, Si/Ge, Co/Si).
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Vacuum. - 84 : 1 (2010), p. 26-31. -
További szerzők:Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Balogh Zoltán (1982-) (fizikus)
Internet cím:elektronikus változat
DOI
Borító:

7.

001-es BibID:BIBFORM008715
Első szerző:Erdélyi Zoltán (fizikus)
Cím:Nanoresolution interface studies in thin films by synchotron x-ray diffraction and by using x-ray waveguide structure / Z. Erdélyi, C. Cserháti, A. Csik, L. Daróczi, G. A. Langer, Z. Balogh, M. Varga, D. L. Beke, I. Zizak, A. Erko
Dátum:2009
ISSN:0049-8246
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:X-Ray Spectrometry. - 38 : 4 (2009), p. 338-342. -
További szerzők:Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Balogh Zoltán (1982-) (fizikus) Varga M. Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Zizak, I. Erko, A.
Internet cím:elektronikus változat
Szerző által megadott URL
DOI
Borító:
Rekordok letöltése1 
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27 © 2023 Monguz kft. Minden jog fenntartva.