Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM094196
Első szerző:	Takáts Viktor
Cím:	Direct fabrication of surface reliefs in amorphous chalcogenide layers / V. Takáts, M. Trunov, A. Csik, I. Csarnovics, Cs. Cserháti, S. Kökényesi
Dátum:	2009
ISSN:	1789-6088
Megjegyzések:	Processes of one-step surface relief (ridges and grooves) formation on AsxSe1?x (0 ? x ? 0.5) and As2S3 layers, as well as on Se/As2S3 nanomultilayers, stimulated by laser illumination or e-beam, were investigated. Permanent changes of the spontaneous relief have been observed under uniform illumination and the proile formation during holographic or direct e-beam recoding in the same materials was analyzed. Mechanisms of the above processes are related to the peculiarities of stimulated structural transformation as well as to the changes of optical parameters and induced mass-transport. Chalcogenide compositions and nanostructures with best volume expansion were selected. It was shown that optical elements can be fabricated in such one-step direct recording processes.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény hazai lapban folyóiratcikk
Megjelenés:	Acta physica Debrecina. - 43 : 1 (2009), p. 15-22. -
További szerzők:	Trunov, M. L. Csik Attila (1975-) (fizikus) Csarnovics István (1986-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	K 67685 OTKA
Internet cím:	Szerző által megadott URL Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM008817
Első szerző:	Takáts Viktor
Cím:	Surface pattern recording in amorphous chalcogenide layers / V. Takáts, F. C. Miller, H. Jain, C. Cserháti, I. A. Szabó, D. Beke, S. Kokenyesi
Dátum:	2009
ISSN:	0022-3093
Megjegyzések:	Investigations of light-induced volume expansion and surface pattern recording in amorphous chalcogenide layers and nano-layered structures (NLS) were extended to direct electron-beam recording on Se/As2S3 and Sb/As2S3 NLS. Light as well as e-beam induced bleaching occurs in all NLS, while volume expansion occurs only in chalcogenide-chalcogenide NLS and in homogeneous Se or As2S3 layers. Comparison of these two phenomena revealed the possible role of purely electronic and thermal processes in the interdiffusion and relief formation. The latter is supposed to be connected with radiation-induced defect creation, free volume increase under the increased fluidity conditions as well as with the possible additional influence of electrostatic forces and stress.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:	Journal of Non-Crystalline Solids. - 355 : 37-42 (2009), p. 1849-1852. -
További szerzők:	Miller, F. C. Jain, H. Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Szabó István András (1956-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Internet cím:	elektronikus változat
Borító:
Saját polcon: