CCL

Összesen 3 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM101934
035-os BibID:(Wos)000183967200046 (Scopus)0037904188
Első szerző:Nyéki József (fizikus)
Cím:Equilibrium surface segregation enthalpy of Ge in concentrated amorphous SiGe alloys / Nyéki J, Girardeaux C, Erdélyi G, Rolland A, Bernardini J
Dátum:2003
ISSN:0169-4332
Megjegyzések:Auger electron spectroscopy technique was used to study surface segregation of Ge in concentrated amorphous Si1-xGex thin film alloys. The alloys (with Ge bulk concentrations in the range of 18-58 at.%) were prepared by dc magnetron sputtering and annealed in a UHV chamber in the temperature range of 653-673 K. The surface equilibrium data (X-s(Ge) versus X-b(Ge)) were determined from segregation kinetics. We show that (i) the experimental data can be interpreted using McLean-Langmuir isotherms with a segregation enthalpy DeltaH((exp)) equals to 5.3 +/- 0.5 kJ mol(-1) and (ii) the estimated segregation enthalpy is lower than the theoretical one calculated in crystalline alloys neglecting the alloying and the size effects. (C) 2003 Elsevier Science B.V. All rights reserved.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Auger electron spectroscopy
surface segregation
concentrated alloys
amorphous thin films
silicon-germanium
Megjelenés:Applied Surface Science. - 212-213 (2003), p. 244-248. -
További szerzők:Girardeaux, Christophe Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Rolland, Andrée Bernardini, Jean
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM040021
Első szerző:Nyéki József (fizikus)
Cím:AES study of surface segregation of Ge in amorphous Si1-xGex thin film alloys / J. Nyéki, Ch. Girardeaux, Z. Erdélyi, G. A. Langer, G. Erdélyi, D. L. Beke, A. Rolland
Dátum:2001
ISSN:0039-6028
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Surface Science. - 495 : 3 (2001), p. 195-203. -
További szerzők:Girardeaux, Christophe Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Rolland, Andrée Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM008686
Első szerző:Nyéki József (fizikus)
Cím:Sb diffusion and segregation in amorphous Si thin films / J. Nyéki, C. Girardeaux, Z. Erdélyi, A. Csik, L. Daróczi, G. Langer, D. L. Beke, A. Rolland, J. Bernardini, G. Erdélyi
Dátum:2005
ISSN:1012-0386
Megjegyzések:Sb diffusion through an amorphous Si film and antimony segregation kinetics on the top of the Si layer was studied in situ by means of Auger electron spectroscopy in the temperature range of 600-723 K. Segregation factors and antimony diffusivities were estimated from the experimental kinetic curves, on the basis of the model developed by Lea and Seah, the Sb bulk concentration in Si films was measured by transmission electron microscopy. Sb diffusivities proved to be 10-12 orders of magnitude higher than that of measured in crystalline Si.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Defect and Diffusion Forum. - 237-240 (2005), p. 1246-1251. -
További szerzők:Girardeaux, Christophe Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Rolland, Andrée Bernardini, Jean Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus)
Internet cím:DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Rekordok letöltése1