CCL

Összesen 15 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM016685
Első szerző:Beke Dezső László (fizikus)
Cím:Investigation of grain boundary diffusion in thin films by SNMS technique / D. L. Beke, A. Lakatos, G. Erdelyi, A. Makovecz, G. A. Langer, L. Daroczi, K. Vad, A. Csik
Dátum:2011
ISSN:1012-0386
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Grain-boundary diffusion
Grain-boundary segregation
thin films
Secondary Neutral Mass Spectroscopy
Fizikai-, Számítás- és Anyagtudomány
Megjelenés:Defect And Diffusion Forum. - 312-315 (2011), p. 1208-1215. -
További szerzők:Lakatos Ákos (1983-) (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Makovec Alajos (1987-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Vad Kálmán Csik Attila (1975-) (fizikus)
Pályázati támogatás:OTKA CK-80126
TÁMOP-4.2.1/B-09/1/KONV-2010-0007
TÁMOP
Diffúzió és szilárdtest reakciók nanoskálán
Internet cím:DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM042940
Első szerző:Cserháti Csaba (fizikus)
Cím:Anomalous growth kinetics of the Ni2Si reaction layer in a-Si/Ni system / Cserháti Csaba, Erdélyi Zoltán, Katona Gábor, Csik Attila. Lakatos Ákos, Langer Gábor, Kis-Varga Miklós, Daróczi Lajos, Erdélyi Gábor, Vad Kálmán, I. Zizak, E. Dudzik, R. Feyerherm, Beke Dezső
Dátum:2009
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat
Megjelenés:International Workshop "Diffusion and Solid State Reactions on Nanoscale" / ed. Csik Attila. - p. 23.
További szerzők:Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Lakatos Ákos (1983-) (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Kis-Varga Miklós Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Vad Kálmán Zizak, I. Dudzik, E. Feyerherm, R. Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM038808
Első szerző:Csik Attila (fizikus)
Cím:Pattern formation in SiSb system / A. Csik, G. Erdélyi, G.A. Langer, L. Daróczi, D.L. Beke, J. Nyéki, Z. Erdélyi
Dátum:2005
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Megjelenés:Vacuum 80 : 1-3 (2005), p. 168-173. -
További szerzők:Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Nyéki József (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

4.

001-es BibID:BIBFORM095945
Első szerző:Lakatos Ákos (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök)
Cím:Investigations of diffusion kinetics in Si/Ta/Cu/W and Si/Co/Ta systems by secondary neutral mass spectrometry / A. Lakatos, G. Erdelyi, G. A. Langer, L. Daroczi, K. Vad, A. Csik, A. Dudas, D. L. Beke
Dátum:2010
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok konferenciacikk
folyóiratcikk
Megjelenés:Vacuum. - 85 : 4 (2010), p. 493-497. -
További szerzők:Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Vad Kálmán Csik Attila (1975-) (fizikus) Dudás Adrián Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

5.

001-es BibID:BIBFORM042939
Első szerző:Lakatos Ákos (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök)
Cím:Secondary Neutral Mass Spectrometry investigations of diffusion effects in Si/Ta/Cu/W and Si/Co/Ta systems / A. Lakatos, G. Erdelyi, G. Langer, L. Daroczi, K. Vad, A. Csik, D. Beke
Dátum:2009
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat
Megjelenés:Book of abstracts of 4-th Symposium on Vacuum based Science and Technology in conjunction with 8-th Annual Meeting of German Vacuum Society. Konferencia helye, ideje: Gdansk, Lengyelország, 2009.09.20-2009.09.23. / ed. Witold Gulbinski. - p. 44.
További szerzők:Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Vad Kálmán Csik Attila (1975-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

6.

001-es BibID:BIBFORM042938
Első szerző:Lakatos Ákos (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök)
Cím:Investigation of diffusional intermixing in Si/Co/Ta system by Secondary Neutral Mass Spectrometry / A. Lakatos, G. Erdelyi, G. Langer, L. Daroczi, K. Vad, A. Csik, A. Dudas, D. Beke
Dátum:2010
ISBN:978-80-7399-969-8
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok előadáskivonat
Megjelenés:13th Joint Vacuum Conference Book of Abstracts /ed. Andrej Vincze. - p. 158-158. -
További szerzők:Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Vad Kálmán Csik Attila (1975-) (fizikus) Dudás Adrián Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

7.

001-es BibID:BIBFORM042934
Első szerző:Lakatos Ákos (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök)
Cím:Investigations of failure mechanisms at Ta and TaO diffusion barriers by SNMS / A. Lakatos , A. Csik, G. A. Langer, G. Erdélyi, G. L. Katona, L. Daróczi, K. Vad, J. Tóth, D. L. Beke
Dátum:2008
ISSN:0231-3596
Megjegyzések:Copper is widely used interconnect mate-rial as a replacement of aluminum in semicon-ductor devices because of its high electricalconductivity and electromigration resistance.The most important life-time limiting processin devices is diffusion between semiconductorand interconnects layers. It was an early ob-servation that Cu can easily migrate to silicon,forming silicides with even at temperatures aslow as 473 K. In order to prevent mixing andsilicide formation, reliable diffusion barriers areneeded. As for barrier materials for coppermetallization, Ta and its alloys are expected tobe the best candidates due to their high melt-ing points, lack of reactivity with Cu, as wellas relatively good adhesion to SiO2.In this work we report on the thermal sta-bility and barrier performance of Ta, TaOxand TaOxTa films. Our research is focusedon the very early stage of the degradation ofthese systems. Structural and compositionalchanges in the thin films were investigated byan X-Ray Diffractometer (XRD, equipped witha Siemens-made Cu?anode x-ray tube), anX-ray Photoelectron Spectroscope (XPS) anda Transmission Electron Microscope (TEM).Secondary Neutral Mass Spectrometer (SNMS)was applied to map the depth profiles.Our investigations, based on depth profileanalysis, show, that early degradation of Tabarrier takes place by the diffusion of Ta troughthe Cu layer and simultaneously the diffusionof Si into the Ta layer. Around 773 K, Ta-silicide formation was observed. Furthermore,deterioration of the barrier layer is strongly af-fected by the coarsening of the Ta film.The failure mechanism in the TaOxbarrierseems to be a crystallization controlled process(823 K). At higher temperature (873 K) thedecomposition of the TaOxfilm also influencesthe degradation.The combined TaOx-Ta barrier proved tobe much more effective than the Ta or TaOxsingle film. The observed outstanding perfor-mance of the combined film can be explainedby the continuous oxidation of Ta film in TaOx-Ta bilayer. The reaction product of the ox-idation process, the freshly formed TaOxfilmbetween the as-deposited TaOxand Ta is prob-ably amorphous (metastable TaO). This oxidelayer in amorphous state is less permeable toSi and Cu than the layer in crystalline form,therefore it successfully prevents the degrada-tion of samples up to 1023 K
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok kutatási jelentés
Megjelenés:Atomki Annual Report. - 16 : 1 (2008), p. 50. -
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Vad Kálmán Tóth J. Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

8.

001-es BibID:BIBFORM013102
Első szerző:Lakatos Ákos (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök)
Cím:Investigations of diffusion kinetics in Si/Ta/Cu/W and Si/Co/Ta systems by secondary neutral mass spectrometry / A. Lakatos, G. Erdelyi, G.A. Langer, L. Daroczi, K. Vad, A. Csik, A. Dudas, D. L. Beke
Dátum:2010
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Co and Cu interconnection technology
Interfaces segregation
Ta diffusion in Cu
Si Diffusion in Co
Centre-Gradient method
Fizikai-, Számítás- és Anyagtudomány
Megjelenés:Vacuum. - 84 : 7 (2010), p. 953-957. -
További szerzők:Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Vad Kálmán Csik Attila (1975-) (fizikus) Dudás Adrián Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TÁMOP-4.2.1/B-09/1/KONV-2010-0007
TÁMOP
Diffúzió és szilárdtest reakciók nanoskálán
Internet cím:DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

9.

001-es BibID:BIBFORM013101
Első szerző:Lakatos Ákos (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök)
Cím:Investigation of failure mechanisms at Ta and TaO diffusion barries by secondary neutral mass spectrometry / A. Lakatos, A. Csik, G. A. Langer, G. Erdelyi, G. L. Katona, L. Daroczi, K. Vad, J. Toth, D. L. Beke
Dátum:2009
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Diffusion barrier
Tantalum
Tantalum-oxide
Megjelenés:Vacuum. - 84 : 1 (2009), p. 130-133. -
További szerzők:Csik Attila (1975-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Vad Kálmán Tóth József Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Internet cím:DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

10.

001-es BibID:BIBFORM013075
Első szerző:Lakatos Ákos (fizikus, környezetmérnök, létesítménymérnök)
Cím:Nanoscale investigation of shift of individual interfaces in temperature induced processes of Ni-Si by secondary neutral mass / A. Lakatos, G. A. Langer, A. Csik, C. Cserhati, M. Kis-Varga, L. Daroczi, G. L. Katona, Z. Erdélyi, G. Erdelyi, K. Vad, D. L. Beke
Dátum:2010
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Fizikai-, Számítás- és Anyagtudomány
Megjelenés:Applied Physics Letters . - 97 (2010), p. 233103-1 - 233103-3. -
További szerzők:Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Kis-Varga Miklós Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Vad Kálmán Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TÁMOP-4.2.1/B-09/1/KONV-2010-0007
TÁMOP
Diffúzió és szilárdtest reakciók nanoskálán
Internet cím:DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

11.

001-es BibID:BIBFORM084294
Első szerző:Molnár Gábor (fizikus)
Cím:Diffusion in Pd-Cu thin films / Molnár Gábor, Erdélyi Gábor, Langer Gábor, Csik Attila, Katona Gábor, Daróczi Lajos, Kis-Varga Miklós, Dudás A., Beke Dezső
Dátum:2013
ISSN:1789-6088
Megjegyzések:Diffusion in polycrystalline Pd-Cu thin film system was investigated in the temperature range of 120-310 ?C, by SNMS depth profiling technique. Depending on the annealing parameters, an almost complete homogenization was detected even at temperatures where the volume diffusion was frozen in. The detected Cu profiles were typical C-kinetic regime grain boundary profiles in the Pd layer. Because of the much higher grain boundary diffusivity on the Cu-rich side, the Cu grain boundaries saturated with Pd after very short times. On the Pdside, from the time evolution of C-type depth profiles, we determined the Cu grain boundary diffusion coefficients at different temperatures. The high concentration level in Cu-side could be interpreted supposing moving boundaries that leave behind regions with high Pd concentration. Though the intermetallic phase formation in this system under similar conditions was proved, the shape of our depth profiles do not show any effects of a reaction layer formation near the original interface. Our findings remain compatible with the previous results, if we suppose an unconventional type of growth 110 mode: phase formation takes place in and around grain boundaries, by means of transport along interface/grain boundaries.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény hazai lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Acta physica Debrecina. - 47 (2013), p. 109-120. -
További szerzők:Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Kis-Varga Miklós Dudás Adrián Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TÁMOP-4.2.2/B-10/1-2010-0024
TÁMOP
TÁMOP-4.2.2.A-11/1/KONV-2012-0036
TÁMOP
CK80126
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

12.

001-es BibID:BIBFORM048167
Első szerző:Molnár Gábor (fizikus)
Cím:Evolution of concentration profiles in Pd-Cu systems studied by SNMS technique / G. Molnár, G. Erdélyi, G. A. Langer, D. L. Beke, A. Csik, G.L. Katona, L. Daróczi, M. Kis-Varga, A. Dudás
Dátum:2013
ISSN:0042-207X
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
Depth profile
SNMS
Grain boundary
Megjelenés:Vacuum. - 98 (2013), p. 70-74. -
További szerzők:Erdélyi Gábor (1950-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Beke Dezső László (1945-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Katona Gábor (1977-) (fizikus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Kis-Varga Miklós Dudás Adrián
Pályázati támogatás:TÁMOP-4.2.2.A-11/1/KONV-2012-0036
TÁMOP
CK-80126
OTKA
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Rekordok letöltése1 2 
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27 © 2023 Monguz kft. Minden jog fenntartva.