Magyar
Toggle navigation
Tudóstér
Magyar
Tudóstér
Keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Egyszerű keresés
Összetett keresés
CCL keresés
Böngészés
Saját polc tartalma
(
0
)
Korábbi keresések
CCL parancs
CCL
Összesen 5 találat.
#/oldal:
12
36
60
120
Rövid
Hosszú
MARC
Részletezés:
Rendezés:
Szerző növekvő
Szerző csökkenő
Cím növekvő
Cím csökkenő
Dátum növekvő
Dátum csökkenő
1.
001-es BibID:
BIBFORM063729
Első szerző:
Csarnovics István (fizikus)
Cím:
Dual Effects of Photo-Darkening and Photo-Bleaching in Ge-Se Films / István Csarnovics, Muhamma Rizwa Latif, Tyler Nichol, Wan Kuang , Maria Mitkova, Miklós Veres, Sándor Kökényesi
Dátum:
2015
ISSN:
2161-6213
Megjegyzések:
Photo-induced changes are investigated in thermally evaporated GexSe1-x (x = 0.28, 0.33 and 0.40) films. Object of studiesare fresh (as prepared), as well as annealed films. The studies indicated concentration dependence of the occurring effects for thestudied compositions. Fast photo-darkening and slow photo-bleaching processes due to laser irradiation were detected in as-preparedfilms, while only photo-darkening effect was established for annealed samples. The origin of photo-darkening and photo-bleaching isexplained based on the structural investigations carried out by Raman spectroscopy.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
chalcogenides
photo-induced changes,
photo-bleaching
photo-darkening
micro-Raman spectroscopy
Megjelenés:
Journal of Materials Science and Engineering A. - 5 : 2 (2015), p. 78-86. -
További szerzők:
Latif, Muhamma Rizwa
Nichol, Tyler
Kuang, Wan
Mitkova, Maria
Veres Miklós
Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:
TÁMOP 4.2.4. A/2-11-1-2012-0001
TÁMOP
TÁMOP-4.2.2.A-11/1/KONV-2012-0036
TÁMOP
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
2.
001-es BibID:
BIBFORM116604
035-os BibID:
(Scopus)85163726226 (WOS)001017391300001
Első szerző:
Ismaeel, Noor Taha
Cím:
Investigation of electrochromic, combinatorial tio2-sno2 mixed layers by spectroscopic ellipsometry using different optical models / Noor Taha Ismaeel, Zoltán Lábadi, Peter Petrik, Miklós Fried
Dátum:
2023
ISSN:
1996-1944
Megjegyzések:
We determined the optimal composition of reactive magnetron-sputtered mixed layers of Titanium oxide and Tin oxide (TiO2-SnO2) for electrochromic purposes. We determined and mapped the composition and optical parameters using Spectroscopic Ellipsometry (SE). Ti and Sn targets were put separately from each other, and the Si-wafers on a glass substrate (30 cm x 30 cm) were moved under the two separated targets (Ti and Sn) in a reactive Argon-Oxygen (Ar-O-2) gas mixture. Different optical models, such as the Bruggeman Effective Medium Approximation (BEMA) or the 2-Tauc-Lorentz multiple oscillator model (2T-L), were used to obtain the thickness and composition maps of the sample. Scanning Electron Microscopy (SEM) with Energy-Dispersive X-ray Spectroscopy (EDS) has been used to check the SE results. The performance of diverse optical models has been compared. We show that in the case of molecular-level mixed layers, 2T-L is better than EMA. The electrochromic effectiveness (the change of light absorption for the same electric charge) of mixed metal oxides (TiO2-SnO2) that are deposited by reactive sputtering has been mapped too.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
electrochromic materials
reactive sputtering
spectroscopic ellipsometry
Titanium-Tin oxide
Megjelenés:
Materials. - 16 : 12 (2023), p. 1-12. -
További szerzők:
Lábadi Zoltán
Petrik Péter
Fried Miklós
Pályázati támogatás:
NN 131269
OTKA
K 128319
OTKA
K 131515
OTKA
KP2021-EGA-04
Egyéb
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
3.
001-es BibID:
BIBFORM086498
035-os BibID:
(cikkazonosító)016204 (Scopus)85081755125 (WoS)000521213900001
Első szerző:
Kaganovskii, Yuri S.
Cím:
Photo induced self-diffusion and viscosity in amorphous chalcogenide films / Yu Kaganovskii, D. L. Beke, V. Freilikher, S. Kökényesi, A. M. Korsunsky
Dátum:
2020
ISSN:
2053-1591
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
amorphous chalcogenide films
diffusion
mass transfer
viscosity
Megjelenés:
Materials Research Express. - 7 : 1 (2020), p. 1-7. -
További szerzők:
Beke Dezső László (1945-) (fizikus)
Freilikher, V.
Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Korsunsky, A. M.
Pályázati támogatás:
GINOP-2.3.2-15-2016-00041
GINOP
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
4.
001-es BibID:
BIBFORM121467
035-os BibID:
(Scopus)85187675245 (WoS)001183243000001
Első szerző:
Lábadi Zoltán
Cím:
Compositional Optimization of Sputtered WO3/MoO3 Films for High Coloration Efficiency / Zoltán Lábadi, Dániel Takács, Zsolt Zolnai, Péter Petrik, Miklós Fried
Dátum:
2024
ISSN:
1996-1944
Megjegyzések:
Thin films of mixed MoO3 and WO3 were obtained using reactive magnetron sputtering onto ITO-covered glass, and the optimal composition was determined for the best electrochromic (EC) properties. A combinatorial material synthesis approach was applied throughout the deposition experiments, and the samples represented the full composition range of the binary MoO3/WO3 system. The electrochromic characteristics of the mixed oxide films were determined with simultaneous measurement of layer transmittance and applied electric current through the using organic propylene carbonate electrolyte cells in a conventional three-electrode configuration. Coloration efficiency data evaluated from the primary data plotted against the composition displayed a characteristic maximum at around 60% MoO3. Our combinatorial approach allows the localization of the maximum at 5% accuracy.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
coloration efficiency
combinatorial sputtering
electrochromic materials
reactive sputtering
tungsten-molybdenum oxide
Megjelenés:
Materials. - 17 : 5 (2024), p. 1-13. -
További szerzők:
Takács Dániel
Zolnai Zsolt
Petrik Péter
Fried Miklós
Pályázati támogatás:
NN 131269
Egyéb
K 143216
Egyéb
K 146181
Egyéb
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
5.
001-es BibID:
BIBFORM119917
035-os BibID:
(cikkazonosító)107062 (Scopus)85137065154 (WoS)000860756600004
Első szerző:
Lohner Tivadar
Cím:
Disorder and cavity evolution in single-crystalline Ge during implantation of Sb ions monitored in-situ by spectroscopic ellipsometry / Tivadar Lohner, Attila Németh, Zsolt Zolnai, Benjamin Kalas, Alekszej Romanenko, Nguyen Quo Khánh, Edit Szilágyi, Endre Kótai, Emil Agócs, Zsolt Tóth, Judit Budai, Péter Petrik, Miklós Fried, István Bársony, József Gyulai
Dátum:
2022
ISSN:
1369-8001
Megjegyzések:
Ion implantation has been a key technology for the controlled surface modification of materials in microelectronics and generally, for tribology, biocompatibility, corrosion resistance and many more. To form shallow junctions in Ge is a challenging task. In this work the formation and accumulation of shallow damage profiles was studied by in-situ spectroscopic ellipsometry (SE) for the accurate tracking and evaluation of void and damage fractions in crystalline Ge during implantation of 200-keV Sb + ions with a total fluence up to 1016 cm?2 and an ion flux of 2.1 ? 1012 cm?2s?1. The consecutive stages of damage accumulation were identified using optical multi-layer models with quantitative parameters of the thickness of modified layers as well as the volume fractions of amorphized material and voids. The effective size of damaged zones formed from ion tracks initiated by individual bombarding ions can be estimated by numerical simulation compared with the dynamics of damage profiles measured by ion beam analysis and ellipsometry. According to our observations, the formation of initial partial disorder was followed by complete amorphization and void formation occurring at the fluence of about 1 ? 1015 cm?2, leading to a high volume fraction of voids and a modified layer thickness of ?200 nm by the end of the irradiation process. This agrees with the results of numerical simulations and complementary scanning electron microscopy (SEM) measurements. In addition, we found a quasi-periodic time dependent behavior of amorphization and void formation represented by alternating accelerations and decelerations of different reorganization processes, respectively. For the understanding and prevention of adverse void formation and for controlled evolution of subsurface nanocavities or cellular surface texture the in-situ monitoring of the dynamics of structural damage accumulation by the developed SE method is essential.
Tárgyszavak:
Természettudományok
Fizikai tudományok
idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Amorphization
Biocompatibility
Corrosion resistance
Ion bombardment
Ions
Microelectronics
Scanning electron microscopy
Textures
Void fraction
Volume fraction
Crystalline Ge
Damage profiles
Damages accumulation
Fluences
Ions implantation
Key technologies
Modified layer
Single-crystalline
Voids formation
Megjelenés:
Materials Science In Semiconductor Processing. - 152 (2022), p. 1-11. -
További szerzők:
Németh Attila
Zolnai Zsolt
Kalas Benjámin
Romanenko, Alekszej
Khánh, Nguyen Quoc
Szilágyi Edit
Kótai Endre
Agócs Emil
Tóth Zsolt
Budai Judit
Petrik Péter
Fried Miklós
Bársony István (1948-) (villamosmérnök)
Gyulai József
Internet cím:
Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:
Rekordok letöltése
1
Corvina könyvtári katalógus v8.2.27
© 2023
Monguz kft.
Minden jog fenntartva.