CCL

Összesen 26 találat.
#/oldal:
Részletezés:
Rendezés:

1.

001-es BibID:BIBFORM020774
Első szerző:Baradács Eszter (fizikus)
Cím:A számítógépes modellezés jelentősége a környezettudományi oktatásban / Baradács Eszter, Erdélyi Zoltán
Dátum:2009
Tárgyszavak:Természettudományok Környezettudományok előadáskivonat
Megjelenés:Kárpát-medencei Környezettudományi Konferencia (5.) (2009) (Kolozsvár). - V. Kárpát-medencei Környezettudományi Konferencia : 2009. március 26-29., Kolozsvár / szerk. Mócsy Ildikó, [et al]. - p. [6]
További szerzők:Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Internet cím:Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

2.

001-es BibID:BIBFORM120502
035-os BibID:(Scopus)85139019757 (WoS)000876813100005
Első szerző:Fouad, Suzan Salad
Cím:Microstructural and optical duality of TiO2/Cu/TiO2 trilayer films grown by atomic layer deposition and DC magnetron sputtering / S.S. Fouad, Eszter Baradács, M. Nabil, Bence Parditka, S. Negm, Zoltán Erdélyi
Dátum:2022
ISSN:1387-7003
Megjegyzések:In this research, we report a comparative study of trilayer TiO2(60 nm)/Cu/TiO2(60 nm) thin film as a function of different Cu interlayer thickness (20, 40 and 60 nm), fabricated by atomic layer deposition (ALD) and DC magnetron sputtering. The surface morphology, elemental information and optical properties, were tested as a function of Cu interlayer thickness by scanning electron microscopy (SEM), energy dispersive X-ray spectrometer (EDX) and double beam spectrophotometer (UV?vis) respectively.The growth mechanism and the microstructural conversion were investigated. The absorption spectrum was mesured and used to calculate the energy band gap (Eg). The obtained results show that the increase of the Cu interlayer enhance the activity of photocatalysis by employing distinct modification strategies to decrease the indirect optical band gap energy from 2.85 to 1.86 eV, and conventionally making the photocatalyst efficient to absorb visible light range. The role of the optical energy band gap Eg as well as the average electronegativity (?) as basic parameters of optical basicity (?A) and refractive index (n) has been emphasized. Values of electronegativity (?), phase velocity (V) and transmission coefficient (TC) decreased, while the refractive index, optical basicity, electronic polarizability (?e), and reflection loss (RL) increased with increasing Cu interlayer thickness. A good agreement is observed among the selected parameters. The results demonstrate that the ALD and the DC magnetron sputtering are promising techniques for preparing TiO2/Cu/TiO2 thin films, with different thickness of copper (Cu), that can be used in low-cost mid-IR detection and can enhanced the properties of optoelectronic devices.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Band gap
Interlayer
Optical basicity
Photocatalyst
Titanium dioxide
Megjelenés:Inorganic Chemistry Communications. - 145 (2022), p. 1-7. -
További szerzők:Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Nabil, M. Parditka Bence (1985-) (fizikus) Negm, S. Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

3.

001-es BibID:BIBFORM120803
035-os BibID:(Scopus)85190843044
Első szerző:Fouad, Suzan Salad
Cím:Synthesis of multiple layers of alternating ZnO and TiO2 using atomic layer deposition and their optical characterization / S.S. Fouad, H.E. Atyia, E. Baradács, Z. Erdélyi, Neeraj Mehta
Dátum:2024
ISSN:0925-3467
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
binary oxide material
atomic layer deposition (ald)
Tio2/zno layer growth
optoelectronic parameters
Megjelenés:Optical Materials. - 151 (2024), p. 1-8. -
További szerzők:Atyia, H. E. Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus) Mehta, Neeraj
Pályázati támogatás:TKP2021-NKTA-34
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

4.

001-es BibID:BIBFORM120709
035-os BibID:(Scopus)85189944396
Első szerző:Fouad, Suzan Salad
Cím:Linearization and characterization of the Wemple - DiDomenico model of ZnO/Ni/ZnO tri-layer thin films prepared by ALD and DC magnetron sputtering / S.S. Fouad, E. Baradács, M. Nabil, A. Sharma, N. Mehta, Z. Erdélyi
Dátum:2024
ISSN:0925-8388
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
ZnO/Ni/ZnO films
ALD and DC evaporation techniques
optical properties
Wemple-DiDomenico model
nonlinear optical studies
Megjelenés:Journal Of Alloys And Compounds. - 990 (2024), p. 1-16. -
További szerzők:Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Nabil, M. Sharma, Arvind Kumar (fizikus) Mehta, Neeraj Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TKP2021-NKTA-34
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

5.

001-es BibID:BIBFORM114248
035-os BibID:(Scopus)85168311828 (WoS)001048799800001 (cikkazonosító)172
Első szerző:Fouad, Suzan Salad
Cím:Assessing, surface morphology, optical, and electrical performance of ZnO thin film using ALD technique / S.S. Fouad, M. Nabil, B. Parditka, A.M. Ismail, E. Baradács, H.E. Atyia, Zoltán Erdélyi
Dátum:2023
ISSN:1388-0764
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
atomic layer deposition mechanism
x-ray grazing
dispersion parameters
dielectric properties
ac conductivity
thin layer
sensor device relevance
Megjelenés:Journal Of Nanoparticle Research. - 25 : 8 (2023), p. 1-13. -
További szerzők:Nabil, M. Parditka Bence (1985-) (fizikus) Ismail, Azilawati Mohd Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Atyia, H. E. Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TKP2021-NKTA-34
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

6.

001-es BibID:BIBFORM112390
035-os BibID:(WoS)000967363800001 (Scopus)85152069369
Első szerző:Fouad, Suzan Salad
Cím:Advances for enhancing the electrical properties and microhardness activity of ZnO/Cu/ZnO thin films prepared by ALD / S. S. Fouad, L. I. Soliman, E. Baradács, M. E. Sayed, B. Parditka, N. F. Osman, M. Nabil, Zoltán Erdélyi
Dátum:2023
ISSN:0022-2461
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Journal Of Materials Science. - 58 : 15 (2023), p. 6632-6642. -
További szerzők:Soliman, Laila Ibrahim Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Sayed, Mohammed E. Parditka Bence (1985-) (fizikus) Osman, Nurul Fatiha Nabil, M. Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TKP2021-NKTA-34
Egyéb
TKP2021-NKTA
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

7.

001-es BibID:BIBFORM103326
035-os BibID:(WoS)000842431600003 (Scopus)85136470446
Első szerző:Fouad, Suzan Salad
Cím:Effect of Cu interlayer on opto-electrical parameters of ZnO thin films / Fouad, S. S., Parditka, B., Nabil, M., Baradács, E., Negm, S., Erdélyi, Zoltán
Dátum:2022
ISSN:0957-4522
Megjegyzések:In this paper, we focused our attention on the tailoring of structure and optical analysis as a function of Cu interlayer between the ZnO layers. The Cu interlayer was deposited by magnetron sputtering, while the ZnO layers were deposited by atomic layer deposition. Morphological analysis, based on grazing incident X-ray diffraction patterns and scanning electron microscope images, revealed formation of crystalline phase and a successful incorporation of Cu into ZnO. The estimated average crystallite size increased from 8.64 to 12.05 nm as Cu interlayer thickness increased from 20 to 70 nm. The averaged value of the surface roughness was determined, from both the profilometer and the XRD measurements. The determinations of the optical band gap and the nature of optical transition were performed by the analysis of absorption spectrum. Also, some physical quantities, such as optical density OD and skin depth delta, were estimated. Optical absorption studies revealed that all the films have a direct allowed transition. A shift in the optical energy band gap E-g from 2.75 to 2.43 eV as a function of Cu interlayer thickness was observed. The linear refractive index (n) was analyzed to determine the metallization criterion M, the reflection loss function R-L, the transmission coefficient T and the relative density D-r. Moreover, we showed that the doping of ZnO with different thickness of Cu interlayer enhances its optical activity and electrical conductivity as well, which makes it useful for photocatalytic application and sensor device fabrication in particular conditions.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Journal Of Materials Science-Materials In Electronics. - 33 : 26 (2022), p. 20594-20603. -
További szerzők:Nabil, M. Negm, S. Parditka Bence (1985-) (fizikus) Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TKP2021-NKTA-34
Egyéb
TKP2021-NKTA
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

8.

001-es BibID:BIBFORM101484
035-os BibID:(cikkazonosító)169078 (WoS)000797648000009 (Scopus)85129446610
Első szerző:Fouad, Suzan Salad
Cím:The real role of Cu metallic interlayer on the dielectric dispersion and conduction mechanism of TiO2/Cu/TiO2 nanolaminates / S. S. Fouad, Bence Parditka, H. E. Atyia, Eszter Baradács, Zoltán Erdélyi
Dátum:2022
ISSN:0030-4026
Megjegyzések:In the present work, the effect of interference of highly transparent and conducting TiO2/Cu/TiO2 nanolaminated films with various Cu metallic interlayer thickness grown on Si (100) substrates by atomic layer deposition (ALD) and magnetron sputtering techniques on the dielectric properties and the AC conductivity of the as-prepared thin films, in the frequency range of 0.1-1000 kHz and in the temperature range of 300-393 K was investigated. The main goal of the studies performed was to compare the dielectric properties and the AC conductivity in two different Cu interlayer thicknesses (20 and 40 nm) and also to assess and relate the resulting properties with several experimental parameters. The AC conductivity measurements showed semiconducting behavior. The variation of the frequency exponent r has been explained in terms of different conduction mechanisms, the correlated barrier hopping (CBH), beside the quantum mechanical tunneling (QMT) models, depending on the Cu metallic interlayer thickness. It is found that the value of the maximum barrier height (W-m) decreases with increasing the Cu interlayer thickness and agree with that proposed by the theory of hopping of charge carriers. The study of the dielectric dispersion reveals that the Debye-type relaxation process was observed at the lower Cu interlayer thickness and fades as the Cu interlayer thickness increases. An observed decrease of dielectric loss with frequency downto low values indicates the suitability of the present samples for several energy storage applications. A new parameter related to the AC conductivity and dielectric constant ratio was studied and analyzed. The present outcome suggests that the thickness of the Cu metallic interlayer plays a vital role in the electric and dielectric properties of the films under investigation.
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
tio2
nanolaminated films
cu interlayer
dielectric relaxation
cbh model
tunneling model
Megjelenés:Optik. - 260 (2022), p. 1-7. -
További szerzők:Parditka Bence (1985-) (fizikus) Atyia, H. E. Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TKP2020-IKA-04
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

9.

001-es BibID:BIBFORM100551
035-os BibID:(WoS)000780203100007 (Scopus)85125221497
Első szerző:Fouad, Suzan Salad
Cím:AC conductivity and dielectric parameters studies in multilayer TiO2/ZnO thin films produced via ALD technique / S. S. Fouad, Bence Parditka, H. E. Atyia, Eszter Baradács, A. E. Bekheet, Zoltán Erdélyi
Dátum:2022
ISSN:0577-9073
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
multilayered tio2/zno films
ald technique
conduction mechanism
maximum barrier height Wm
dielectric properties
optoelectronic devices
Megjelenés:Chinese Journal Of Physics. - 77 : 77 (2022), p. 73-80. -
További szerzők:Parditka Bence (1985-) (fizikus) Atyia, H. E. Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Bekheet, A. E. Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TKP202-IKA-04
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

10.

001-es BibID:BIBFORM092086
035-os BibID:(cikkazonosító)166617
Első szerző:Fouad, Suzan Salad
Cím:Bilayer number driven changes in polarizability and optical property in ZnO/TiO2 nanocomposite films prepared by ALD / S. S. Fouad, B. Parditka, M. Nabil, E. Baradács, S. Negm, H. E. Atyia, Z. Erdélyi
Dátum:2021
ISSN:0030-4026
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
atomic layer deposition
optical energy gap
linear refractive index
polarizability
electrical susceptibility
Megjelenés:Optik. - 233 (2021), p. 1-7. -
További szerzők:Parditka Bence (1985-) (fizikus) Nabil, M. Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Negm, S. Atyia, H. E. Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Pályázati támogatás:NKFIH-1150-6/2019
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

11.

001-es BibID:BIBFORM093899
035-os BibID:(cikkazonosító)9308 (WOS)000656206800037 (Scopus)85105236689
Első szerző:Gurbán Sándor
Cím:Interface induced diffusion / S. Gurbán, A. Sulyok, Miklos Menyhárd, E. Baradács, B. Parditka, C. Cserháti, G. A. Langer, Z. Erdélyi
Dátum:2021
ISSN:2045-2322
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Scientific Reports. - 11 : 1 (2021), p. 1-11. -
További szerzők:Sulyok Attila Menyhárd Miklós Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Parditka Bence (1985-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Pályázati támogatás:TKP2020-IKA-04
Egyéb
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:

12.

001-es BibID:BIBFORM072279
035-os BibID:(Cikkazonosító)2124 (WOS)000423787500099 (Scopus)85041631046
Első szerző:Gurbán Sándor
Cím:Electron irradiation induced amorphous SiO2 formation at metal oxide/Si interface at room temperature; electron beam writing on interfaces / S. Gurbán, P. Petrik, M. Serényi, A. Sulyok, M. Menyhárd, E. Baradács, B. Parditka, C. Cserháti, G. A. Langer, Z. Erdélyi
Dátum:2018
ISSN:2045-2322
Tárgyszavak:Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban
folyóiratcikk
Megjelenés:Scientific Reports. - 8 : 1 (2018), p. 1-7. -
További szerzők:Petrik P. Serényi Miklós Sulyok Attila Menyhárd Miklós Baradács Eszter (1974-) (fizikus) Parditka Bence (1985-) (fizikus) Cserháti Csaba (1963-) (fizikus) Langer Gábor Antal (1950-) (fizikus) Erdélyi Zoltán (1974-) (fizikus)
Internet cím:Szerző által megadott URL
DOI
Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Rekordok letöltése1 2 3