Találati lista | Tudóstér

001-es BibID:	BIBFORM129617
035-os BibID:	(WoS)001482426900001 (Scopus)105002026770
Első szerző:	Gaál Zoltán Tamás (fizikus)
Cím:	Boron depth distribution in iron surfaces at high-dose implantation / Z. T. Gaál, Z. Halász, A. Csík, V. Takáts, G. Nagy, J. Oscarsson, M. Sortica, D. Primetzhofer, T. Fodor, S. Molnár, J. Hakl, Zs. Benkó, L. Daróczi, M. Benke, K. Vad, I. Rajta
Dátum:	2025
ISSN:	0042-207X
Megjegyzések:	Due to application of lead-free materials in soldering technology, the degradation of industrial tools is accelerated. However, this can be circumvented with boriding. Two types of boride phases are usually formed (FeB and Fe2B), causing internal stress due to the different crystal structures. Our aim with B+ ion implantations is to avoid this weakness and create a single-phase iron boride layer. The ion implantation was performed at different doses (6.9.1017-1.1018 ions/cm2) of boron ions and with bombarding energies of 25 keV and 100 keV. The depth distribution of implanted boron was investigated by Secondary Neutral Mass Spectrometry (SNMS) depth profile analyses, Scanning Electron Microscopy (SEM) measurements, and by Elastic Recoil Detection Analysis (ERDA). The purpose of these measurements was to obtain information about the boron distribution produced by high-dose implantation. Our experimental analyses show that the boron distribution is more of a Pearson IV type than a Gaussian type.
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk nagy dózis implantálás
Megjelenés:	Vacuum. - 238 (2025), p. 1-6. -
További szerzők:	Halász Zoltán (1975-) (fizikus) Csik Attila (1975-) (fizikus) Takáts Viktor Nagy Gyula (1986-) (környezetkutató fizikus) Oscarsson, Johan Sortica, Mauricio Primetzhofer, Daniel Fodor Tamás (1984-) (Ph.D hallgató) Molnár Sándor (1990-) (fizikus) Hakl József Benkó Zsolt (1980-) (geológus) Daróczi Lajos (1965-) (fizikus) Benke Márton Vad Kálmán Rajta István (1970-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	RADIATE project Grant Agreement No. 824096 Egyéb TKP2021-NKTA-42 Egyéb
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon:

001-es BibID:	BIBFORM086130
035-os BibID:	(Scopus)85069714766 (WoS)000480558400052
Első szerző:	Molnár Sándor (fizikus)
Cím:	Direct surface patterning of amorphous chalcogenide layers with high- energy H+ and He+ ion beams / S. Molnar, R. Bohdan, Gy. Nagy, I. Rajta, L. Illes, A. Csik, S. Kokenyesi
Dátum:	2019
ISSN:	0957-4522
Megjegyzések:	As (Ge)-S (Se) based amorphous bulk chalcogenide glasses and layers have been used for surface geometrical relief recording by 2 MeV energy H+ and He+ ion-beams. The formation of giant (height modulation from nanometers up to micrometers) geometrical reliefs (dots, lines), have been investigated. Efficiency of surface patterning was compared for selected compositions, type of ion beam and conductivity of substrates. Comparisons with optical and e-beam recording were made with aim to establish the details of relief formation mechanisms. The results show applicability of high-energy ion beams for in situ fabrication of planar optical elements on the surface of chalcogenide glasses (bulk samples or amorphous films).
Tárgyszavak:	Természettudományok Fizikai tudományok idegen nyelvű folyóiratközlemény külföldi lapban folyóiratcikk
Megjelenés:	Journal of Materials Science-Materials in Electronics. - 30 : 16 (2019), p. 15331-15338. -
További szerzők:	Bohdan, Roland Nagy Gyula (1986-) (környezetkutató fizikus) Rajta István (1970-) (fizikus) Illés Levente Csik Attila (1975-) (fizikus) Kökényesi Sándor (1946-) (fizikus)
Pályázati támogatás:	GINOP-2.3.2-15-2016-00041 GINOP
Internet cím:	Szerző által megadott URL DOI Intézményi repozitóriumban (DEA) tárolt változat
Borító:
Saját polcon: